[发明专利]微流控单细胞基因表达检测芯片及其工作方法与制备方法在审
申请号: | 201810091807.9 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108060075A | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 孙浩;东辉 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | C12M1/38 | 分类号: | C12M1/38;C12M1/34;C12M1/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微流控 单细胞 基因 表达 检测 芯片 及其 工作 方法 制备 | ||
1.一种微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:包括基底层、钝化层、磁铁层、流动层和气动控制层;所述钝化层设置在基底层上;所述磁铁层设置在钝化层上;所述流动层设置在磁铁层上;所述气动控制层设置在流动层上;基底层上设置有电极;所述气动控制层划分为生化分析单元阵列;所述生化分析单元阵列包括若干个生化分析单元;生化分析单元划分为细胞捕捉区及生化反应区。
2.根据权利要求1所述的微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:所述气动控制层上设置有第一多路复用器、第二多路复用器。
3.根据权利要求1所述的高通量微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:所述细胞捕捉区上设置有表面涂布特定引物的微磁珠。
4.根据权利要求1所述的微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:所述基底层上设置有微加热器及温度传感器;所述微加热器、温度传感器分别与电极连接。
5.根据权利要求4所述的高通量微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:所述微加热器与温度传感器电阻比为1:2.7。
6.根据权利要求1所述的微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:所述流动层内设置蒸发抑制层。
7.根据权利要求1所述的微流控单细胞基因表达检测芯片,其特征在于:所述生化分析单元阵列包括400个生化分析单元。
8.一种基于权利要求1所述的微流控单细胞基因表达检测芯片的工作方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤S1:当细胞随载流流动到检测芯片上;单细胞将停留并由化学裂解液裂解,释放出的mRNA由表面涂布特定引物的微磁珠捕捉;
步骤S2:若生化分析单元阵列上的若干个生化分析单元都完整完成mRNA捕捉,则启动基底层上的微加热器,完成反转录、实时荧光定量聚合酶连反应与靶向基因片段扩增;
步骤S3:靶向基因片段扩增信号由一荧光显微镜捕获,该信号上传至计算机并由计算机分析其灰度值;实时荧光定量聚合酶连反应信号由一荧光显微镜和一CCD采集,该信号上传至计算机并由计算机分析。
9.根据权利要求8所述的微流控单细胞基因表达检测芯片的工作方法,其特征在于:微加热器电压输入由一数字电源提供,温度传感器电阻由一数字万用表读取;细胞载流进样由一微注射泵控制,气动控制层由一氮气气压控制。
10.一种如权利要求1所述的微流控单细胞基因表达检测芯片的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:真空蒸镀厚度20nm铬和110nm金,再由湿法刻蚀得到微加热器及温度传感器,微加热器与温度传感器电阻比为1:2.7;
步骤二:旋涂厚度为80µm的负性光刻胶SU-8,由紫外曝光法在硅片基底上加工气动控制层胶膜,浇铸聚二甲基硅氧烷PDMS并固化得到最终气动层;
步骤三:旋涂厚度为30µm的负性光刻胶SU-8,由紫外曝光法在硅片基底上加工气动控制层胶膜,两次浇铸PDMS得到内置蒸发抑制层的流动层;
步骤四:借助PDMS打孔器,加工芯片流动层、气动控制层的入口、出口;
步骤无:借助反应离子刻蚀RIE封装步骤一至四得到的多层结构,得到检测芯片。
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