[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法

说明书

本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。一种背照式图像传感器，包括：半导体外延层；位于所述半导体外延层中的光电二极管，用于接收从所述半导体外延层的第一表面入射的光；透明电极，位于所述半导体外延层的第一表面；以及彩色滤光片和微透镜，位于所述透明电极上。

技术领域

本公开涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。

背景技术

在传统的CMOS图像传感器中，光电二极管位于电路层下方，入射光会受到电路布线的遮挡。在背照式图像传感器中，光线从图像传感器的背面入射。这样，能够使入射光先入射到光电二极管中，从而提高了入射光量，能够显著提高低光照条件下的拍摄效果。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种背照式图像传感器，包括：半导体外延层；位于所述半导体外延层中的光电二极管，用于接收从所述半导体外延层的第一表面入射的光；透明电极，位于所述半导体外延层的第一表面；以及彩色滤光片和微透镜，位于所述透明电极上。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造背照式图像传感器的方法，包括：在晶圆上形成半导体外延层；在所述半导体外延层中形成光电二极管，所述光电二极管用于接收从所述半导体外延层的第一表面入射的光；在所述半导体外延层的第一表面形成透明电极；以及在所述透明电极上形成彩色滤光片和微透镜。

根据本公开的第三方面，提供了一种成像装置，包括根据本公开的第一方面的背照式图像传感器。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出根据本公开的一个实施例的背照式图像传感器的示意图。

图2示出了根据本公开的一个实施例的制造背照式图像传感器的方法的流程图。

图3A-图3G是示出根据本公开的一个实施例的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图4A-图4C示出了图3F中虚线包围的部分的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

图1示出了根据本公开的一个实施例的背照式图像传感器的示意图。如图1所示，该背照式图像传感器包括衬底1、多个金属布线层6、位于多个金属互连层6之间的多个介质层5、在外延层2中形成的光电二极管3和其它器件4、透明电极8、彩色滤光片9以及微透镜10。