[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201810092712.9 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108696701B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李贵德;李泰渊;李光敏;石井胜 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
半导体衬底,包括多个像素区域;
多个第一光电元件;
在所述多个第一光电元件下方的多个第二光电元件;以及
像素电路,包括在所述多个第二光电元件下方的第一半导体器件和第二半导体器件,所述第一半导体器件连接到所述多个第一光电元件中的至少一个,并且所述第二半导体器件连接到所述多个第二光电元件中的至少一个,
其中,所述多个像素区域中的每一个包括所述多个第一光电元件中的至少一个以及所述多个第二光电元件中的至少一个;
所述多个像素区域沿着第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向设置;
所述第一方向和所述第二方向平行于所述半导体衬底的上表面;以及
其中所述第一半导体器件连接到所述多个第一光电元件中的不同的第一光电元件并且位于所述多个像素区域中的一个像素区域中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中
所述第一半导体器件包括第一复位晶体管、第一选择晶体管和第一驱动晶体管,以及
所述多个像素区域中的一个像素区域中的所述第一选择晶体管和所述第一驱动晶体管连接到所述多个第一光电元件中的一个第一光电元件,所述一个第一光电元件与所述多个第一光电元件中连接到所述第一复位晶体管的另一个第一光电元件不同。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述第一选择晶体管的有源区连接到所述第一驱动晶体管的有源区。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中
所述第一选择晶体管的有源区沿第一方向延伸,以及
所述第一驱动晶体管的有源区沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
5.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述第一选择晶体管的栅极长度短于所述第一驱动晶体管的栅极长度。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中
所述第一半导体器件提供第一电路,
所述第二半导体器件提供第二电路,以及
所述多个像素区域中的两个或更多个相邻像素区域提供单个像素组。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中
所述单个像素组中的第一电路共享第一列线,并且
所述单个像素组中的第二电路共享第二列线。
8.根据权利要求6所述的图像传感器,其中所述单个像素组中的第二电路共享所述第二半导体器件中的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中由所述单个像素组中的所述第二电路共享的所述第二半导体器件中的至少一个位于另一个相邻像素组中。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
所述多个像素区域之间的分离区域,
其中所述第一半导体器件与所述分离区域相邻。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,还包括:
过孔电极,将所述第一半导体器件与所述多个第一光电元件彼此电连接,所述过孔电极在所述多个像素区域之间的不包括所述分离区域的边界处。
12.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个第一光电元件的光接收区域大于所述多个第二光电元件的光接收区域。
13.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个第一光电元件和所述多个第二光电元件接收不同波段的光以产生对应的电荷。
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