[发明专利]基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器

权利要求书

1.一种基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，包括：

平行且并排设置的漂移电极和读出电极，所述漂移电极和所述读出电极之间平行设置有中子转换体，所述中子转换体与所述读出电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器；其中，

所述中子转换体包括至少一层金属网，所述金属网的表面涂有硼层，且所述漂移电极面向所述读出电极的表面涂有所述硼层。

2.根据权利要求1所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，所述金属网的表面设有凹凸结构。

3.根据权利要求2所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，所述漂移电极涂有所述硼层的表面设有所述凹凸结构。

4.根据权利要求2或3所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，所述凹凸结构为锯齿结构，所述锯齿结构的锯齿高度为0.1mm～0.3mm，齿角度为10°～40°。

5.根据权利要求1-3任一项所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，所述硼层的厚度为0.1um～3um，所述硼层中硼元素为硼10。

6.根据权利要求1所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，所述基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器包括两个所述漂移电极、两个所述中子转换体和两个所述厚型气体电子倍增器；所述读出电极的两侧向外侧依次对称布置有所述厚型气体电子倍增器、所述中子转换体和所述漂移电极。

7.根据权利要求6所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，在平行于所述漂移电极的方向上，所述读出电极呈两端厚而中间薄的形状。

8.根据权利要求7所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，

所述读出电极包括平行于所述漂移电极的中间层和对称设置在所述中间层两端的端子层，两个所述端子层在平行于所述漂移电极的方向上分别包裹所述中间层的两端，且两个所述端子层之间具有间隔空间；

所述中间层包括平行排列的多个电路层，相邻两电路层之间设有绝缘层，所述电路层与所述绝缘层层叠设置；

所述电路层包括顺次排列的第一感应层、信号层和第二感应层，所述电路层还包括地层，其中，所述信号层与所述第一感应层之间设有所述地层；和/或，所述信号层与第二感应层之间设有所述地层。

9.根据权利要求8所述的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，所述第一感应层和所述第二感应层结构相同，具有由多个二维读出条或读出块排列形成的感应区，所述感应区正对所述间隔空间。