[发明专利]背照式图像传感器在审
申请号: | 201810092918.1 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN110098204A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 赵立新;李杰 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式图像传感器 金属走线 金属 传输电源信号 电源信号线 数据信号线 背面设置 地信号线 沟槽连接 驱动能力 数据信号 电压降 通孔 传输 | ||
本发明提出一种背照式图像传感器,于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线,所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号;所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属,提高信号的驱动能力,降低传输中的电压降。
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域,尤其涉及一种背照式图像传感器。
背景技术
背照式图像传感器(BSI CMOS image sensor)是在传统的前照式图像传感器(FSICMOS image sensor)技术的基础上将原来处于微透镜与感光半导体之间的电路部分转移到感光半导体周围或下面,首先在半导体衬底正面制作感光二极管区域、金属互连,然后对半导体衬底背面进行减薄,并将感光二极管进行互连引出,在半导体衬底背面对应制作微透镜,使得光线直接可以从背面进入感光半导体,减少反射,大幅提高采光的效率,正面全部留给光电二极管,实现了尽可能大的填充因子。感光二极管区域通过金属互连连接至半导体衬底背面的金属焊盘,实现感光二极管区域的电源线信号、地信号或数据信号的传输。
发明内容
本发明的目的在于提供一种背照式图像传感器,提高信号的驱动能力,降低传输中的电压降。
基于以上考虑,本发明提出一种背照式图像传感器,于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线,所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号;所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属,提高信号的驱动能力,降低传输中的电压降。
优选的,有部分的通孔或沟槽设置于非焊盘区域。
优选的,所述背照式图像传感器背面的部分或全部的金属走线连接至背照式图像传感器背面的金属焊盘。
优选的,所述背面的金属走线连接至背照式图像传感器正面的电源信号线、地信号线或数据信号线,并连接至背照式图像传感器正面的金属焊盘。
优选的,背照式图像传感器背面具有像素阵列区,所述背面的金属走线设置于像素阵列区外围,与有效的感光像素区之间存在间距,所述间距大于5μm。
优选的,所述背面的金属走线的厚度大于0.1μm。
与现有技术相比,本发明的具有背照式图像传感器具有以下有益效果:
本发明中,于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线,所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号,所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属,提高信号的驱动能力,降低传输中的电压降。
附图说明
通过说明书附图以及随后与说明书附图一起用于说明本发明某些原理的具体实施方式,本发明所具有的其它特征和优点将变得清楚或得以更为具体地阐明。
图1为根据本发明一个实施例的图像传感器背面设置金属走线的示意图;
图2为根据本发明一个实施例的图像传感器背面设置金属焊盘的示意图。
具体实施方式
在以下优选的实施例的具体描述中,将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解,在不偏离本发明的范围的前提下,可以利用其他实施例,也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此,以下的具体描述并非限制性的,且本发明的范围由所附的权利要求所限定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810092918.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的