[发明专利]一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法在审
| 申请号： | 201810093679.1 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098108A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 潘尧 | 申请（专利权）人： | 苏州锐材半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 陆晓鹰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜 聚酰亚胺 聚酰亚胺薄膜 电极图形 刻蚀 制作 氧等离子体 光刻胶 光刻 刻穿 去除 无光 制备 固化 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀，通过光刻胶在聚酰亚胺薄膜上固化形成电极图形，再通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜上无光刻胶的部分刻穿并去除，得到最终所需的聚酰亚胺微掩膜。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为25~35um。
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀时采用的精度更高的正胶刻蚀。
4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，在聚酰亚胺薄膜上进行正胶刻蚀时，在聚酰亚胺薄膜表面滩涂正光刻胶，形成与待制备的电极图形相对应的通道，再经前烘、曝光、后烘再显影形成预设的电极图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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