[发明专利]一种提高膜厚均匀性的装置及方法

权利要求书

1.一种提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，包括：一具有双工艺腔体的PECVD机台，所述双工艺腔体中的每个工艺腔体分别设有晶圆加热平台和射频发生机构，至少一个工艺腔体的晶圆加热平台为控速旋转式平台；其中，通过所述控速旋转式平台在淀积时间内旋转整数圈，确保两个射频发生机构产生的射频叠加效果对晶圆加热平台上吸附的晶圆内外圈各位置的影响一致，以消除射频叠加带来的晶圆膜厚突变。

2.根据权利要求1所述的提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述双工艺腔体包括并列且连通设置的腔体A和腔体B，所述腔体A中设有晶圆加热平台A和射频发生机构A，所述腔体B中设有晶圆加热平台B和射频发生机构B，所述晶圆加热平台A和晶圆加热平台B都为控速旋转式平台。

3.根据权利要求1所述的提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述双工艺腔体包括并列且连通设置的腔体A和腔体B，所述腔体A中设有晶圆加热平台A和射频发生机构A，所述腔体B中设有晶圆加热平台B和射频发生机构B，所述晶圆加热平台A和晶圆加热平台B其中之一为控速旋转式平台。

4.根据权利要求2或3所述的提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，通过所述PECVD机台的控制系统对所述控速旋转式平台进行控速，以限制其在淀积时间内旋转整数圈。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述控速旋转式平台下方设有支撑柱，所述支撑柱连接控速转动电机，通过所述PECVD机台的控制系统对所述控速转动电机进行控速，以限制控速转动电机连接的控速旋转式平台在淀积时间内旋转整数圈。

6.根据权利要求5所述的提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述支撑柱通过齿轮、键槽或紧配合方式与控速转动电机的转轴相连接。

7.一种提高膜厚均匀性的方法，使用权利要求2所述的提高膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述方法包括：

将晶圆A、晶圆B分别传入腔体A、腔体B中，并吸附在晶圆加热平台A、晶圆加热平台B上；

打开射频发生机构A和射频发生机构B，并使晶圆加热平台A、晶圆加热平台B旋转，对晶圆A、晶圆B进行淀积工艺；

其中，通过使晶圆加热平台A、晶圆加热平台B在淀积时间内分别旋转整数圈，确保两个射频发生机构产生的射频叠加效果对晶圆加热平台上吸附的晶圆内外圈各位置的影响一致，以消除射频叠加带来的晶圆膜厚突变，同时，利用射频叠加效果使局部淀积速率变快，以在晶圆A、晶圆B匀速旋转过程中，补偿边缘膜厚较薄现象，消除双工艺腔体的膜厚向一边倾斜的现象，提高膜厚均匀性。

8.根据权利要求7所述的提高膜厚均匀性的方法，其特征在于，通过在所述PECVD机台的控制系统的工艺菜单中设置旋转圈数，并通过控制系统自动根据淀积时间计算转速，对晶圆加热平台A、晶圆加热平台B进行控速。