[发明专利]半导体长形条及其加工方法在审
| 申请号： | 201810094059.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098114A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郭振新 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 长形条 半导体 感光胶片 预定表面 保护膜 半导体产品 沟槽形状 离子刻蚀 切割过程 屏蔽罩 覆盖 移除 加工 变形 曝光 | ||
1.一种半导体长形条的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体长形条；
在所述半导体长形条上的预定表面上镀保护膜；
在所述保护膜上覆盖感光胶片；
采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光及离子刻蚀；以及
移除所述感光胶片。
2.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述保护膜为DLC膜或硅膜。
3.如权利要求2所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述DLC膜的厚度为25±6A，所述硅膜的厚度为12±4A。
4.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述保护的镀膜角度为45度。
5.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述曝光采用的能量束为50±10毫瓦/cm2，时间为20±5s。
6.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述离子刻蚀的刻蚀角度为45度，刻蚀深度为1.0000±7％μm。
7.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：在镀上所述保护膜之后、覆盖所述感光胶片之前，还包括将所述半导体长形条粘接在陶瓷片上。
8.如权利要求7所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：在移除所述感光胶片之后，还包括将所述半导体长形条从所述陶瓷片上移下。
9.一种依照如权利要求1所述的加工方法而获得的半导体长形条，包括由多个半导体单元形成的长形条本体以及形成在所述长形条本体的预定表面上的至少一凹槽，所述凹槽位于两所述半导体单元之间的切割位置。
10.如权利要求9所述的半导体长形条，其特征在于：所述预定表面包括空气承载面以及与所述空气承载面相对的底面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
