[发明专利]晶圆的切割方法

说明书

本发明的晶圆的切割方法，包括：提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；以及所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。本发明可减少晶圆在切割时产生的变形、提高半导体良品率并提高切割刀片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的切割方法。

背景技术

随着微电子技术的发展，对于半导体元器件的要求也越来越高，不但体积要有所缩小，在精度上也要不断提高。

因此，对于半导体精加工工艺也要不断完善，特别是在切割的工序中，例如，要减少切割时对于半导体边缘崩裂的风险，使得废料减少。这就要求切割刀片要越来越薄，对刀片的刚性和硬度的要求也越来越高。目前，为了能使单位晶圆上能获得更多的半导体元器件，高密度的晶圆不断的被开发出来。因此作业条件越来越严格，由于晶圆底部的材料硬度很高，用一般的刀片很难切割，必须要考虑用金刚石刀片。而采用金刚石刀片切割时刀片会摇摆、震荡，从而产生内应力巨大，而造成了变形，刀片的使用寿命不高。而且，现有的切割工序中，往往采用一次性穿透切割，容易造成半导体晶圆的边缘发生崩裂，产品的良品率降低。

因此，亟待提供一种优化的晶圆切割方法以克服以上缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种优化的晶圆切割方法，以减少晶圆在切割时产生的变形、提高半导体良品率并提高切割刀片的使用寿命。

为实现上述目的，本发明的晶圆的切割方法，包括：

提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；

所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；

在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；以及

所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。

与传统的一次穿透性切割相比，本发明通过从晶圆的不同表面进行二次切割，可以避免半导体晶圆的切割边缘发生崩裂，提高良品率；而且，在晶圆的表面上贴附保护胶，可减少晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少晶圆的变形；再且，二次切割对刀片产生内应力也减少从而可防止刀片变形，提高刀片使用寿命。

较佳地，所述晶圆的所述第一表面贴附有所述保护胶。

较佳地，所述保护胶为UV胶。

较佳地，所述第一次切割的切割深度为所述晶圆的整体深度的一半。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的晶圆切割方法作进一步说明，但不因此限制本发明。

作为一个实施例，本发明的晶圆的切割方法包括以下步骤：

晶圆保护步骤：提供一晶圆，该晶圆具有相对的第一表面和第二表面，在晶圆的第二表面上贴附保护胶；

第一次切割步骤：所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；

第二次切割步骤：所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。