[发明专利]一种相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810094421.3 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108231984A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 于桂栋;李宗涛;汤勇;杜学威;冯思洋;姚侠楠 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 付茵茵 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 膜片本体 图案化膜 相分离 量子点 制作 高分子聚合物 蚀刻 渐变折射率 玻璃基板 发光作用 散射性能 效果结合 荧光效率 光斑 发射峰 图案化 吸收峰 透射 膜层 微孔 炫目 薄膜 反射 封装 依附 | ||
1.一种相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片，其特征在于，包括：膜片本体，膜片本体上蚀刻有图案化微孔，膜片本体内部分散有钙钛矿量子点；膜片本体为高分子聚合物制成的薄膜。
2.按照权利要求1所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片，其特征在于：膜片本体依附于玻璃基板上。
3.按照权利要求1所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片，其特征在于：钙钛矿量子点的粒径为2-10nm，图案化微孔为规则圆孔或不规则岛屿状凹陷，图案化微孔的尺寸范围为1-15μm。
4.按照权利要求1所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片，其特征在于：膜片本体的反射率在400-800nm波段上均在5％以下；膜片本体的透光率在91％以上。
5.按照权利要求1所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片，其特征在于：膜片本体的厚度为1.5μm，荧光强度为3500-5500，半峰宽为10-40nm。
6.按照权利要求1-5任一项所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.制备钙钛矿量子点溶液；
b.将两种高分子聚合物按配比共同溶解在共混溶剂中获得共混溶液；
c.清洗并氧化处理旋涂所用玻璃基板；
d.将钙钛矿量子点溶液加入共混溶液中并进行旋涂制膜获得分散有钙钛矿量子点的薄膜；
f.退火使两种高分子聚合物相分离；
g.利用选择性溶剂蚀刻薄膜将其中一种高分子聚合物溶解，使得薄膜表面形成图案化微孔，烘干制得膜片本体。
7.按照权利要求6所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片的制作方法，其特征在于：共混溶剂为分析纯甲苯；两种高分子混合物包括蚀刻中保留下来的射出级的聚甲基丙烯酸甲酯和蚀刻中去除的射出级的聚苯乙烯；选择性溶剂包括环己烷和冰醋酸；钙钛矿量子点溶液与共混溶液的体积分数比范围为5％～15％；聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的重量比范围为6:4-9:1。
8.按照权利要求6所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片的制作方法，其特征在于：
旋涂参数为：3-5s预转700-1200r/min，25-35s旋涂2500-3500r/min，静态旋涂；退火参数为：100-130℃退火30-55分钟；
浸泡方案为：环乙烷浸泡35-50分钟；
烘干方案为：100-135℃烘干15-30分钟。
9.按照权利要求6所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片的制作方法，其特征在于：步骤c中，氧化处理玻璃基板的方式包括强氧化剂处理、紫外光照射中的一种或两种。
10.按照权利要求6所述的相分离手段实现的钙钛矿图案化膜片的制作方法，其特征在于：钙钛矿量子点，包括CsPbBr3量子点、CsPbCl3量子点、CsPbI3量子点和有机-无机杂化钙钛矿量子点中的一种或多种；步骤a中，制备方法包括常温法、高温注入法或配体辅助再沉淀法；其中配体辅助再沉淀法对应制备有机-无机杂化钙钛矿量子点溶液。
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