[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底内具有第一外延层及第一栅极结构；所述第二区基底上还具有第二栅极结构；所述基底上还具有隔离结构；

在所述第一区基底和第一外延层上形成第一保护层；所述第一保护层还覆盖第二栅极结构的侧壁；所述第一保护层的形成步骤包括：在所述基底和第一源漏掺杂区上、第一栅极结构的侧壁和顶部表面、以及第二栅极结构的侧壁和顶部表面形成第一保护膜；去除第二区基底和第二栅极结构顶部表面的第一保护膜，形成所述第一保护层；

形成所述第一保护层之后，在所述第二栅极结构两侧的基底内形成第二外延层；

在所述基底、隔离结构、第一保护层、第二外延层和第二栅极结构上形成氧化膜；所述氧化膜用于补偿隔离结构在去除第一保护膜时的损失量；

去除第一区氧化膜，暴露出第一保护层，在所述第二区基底上形成氧化层；

在第一外延层内形成第一源漏掺杂区，以及在第二外延层内形成第二源漏掺杂区之后，去除第一保护层及剩余的氧化层；

去除第一保护层及剩余的氧化层之后，在所述基底、第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区上形成介质层；

去除部分所述介质层，直至暴露出第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：3纳米～5纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂区沿垂直于第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区连线方向上的尺寸为：100纳米～120纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的形成步骤包括：在所述第一栅极结构两侧的基底内形成第一外延层；在所述第一区基底和第一外延层上、第一栅极结构的侧壁和顶部表面、以及第二栅极结构的侧壁形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二栅极结构两侧的基底内形成第二外延层；在所述基底、第一保护层、第二外延层和第二栅极结构上形成氧化层后，在所述第二区基底和第二外延层上、以及第二栅极结构的侧壁和顶部表面形成第一光刻胶；去除第一区氧化层，暴露出第一保护层后，以所述第一光刻胶为掩膜，采用第一离子注入工艺，在所述第一外延层内掺入第一掺杂离子，形成第一源漏掺杂区；形成所述第一源漏掺杂区之后，去除第一光刻胶；去除所述第一光刻胶之后，在所述第一区基底和第一源漏掺杂区上、以及第一栅极结构的侧壁和顶部表面形成第二光刻胶；以所述第二光刻胶为掩膜，采用第二离子注入工艺，在所述第二外延层内掺入第二掺杂离子，形成第二源漏掺杂区。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料包括：氧化硅；所述氧化层的厚度为：20埃～40埃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括：氮化硅。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一保护层的工艺包括：湿法刻蚀工艺；当所述第一保护层的材料为氮化硅时，所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀剂包括磷酸。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料包括：氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔之后，所述形成方法还包括：在所述接触孔内形成插塞。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于PMOS晶体管，所述第二区用于形成NMOS晶体管。