[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，处理涂覆有定向自组装材料的基板，其中，该基板处理方法包括：

加热工序，将处理容器的内部保持为非氧化性气体环境，并且使基板位于与所述处理容器的内部的加热部接触或接近的加热位置，从而加热基板，使定向自组装材料相分离；以及

冷却工序，将所述处理容器的内部保持为非氧化性气体环境，使基板位于与所述加热位置相比距所述加热部远的冷却位置，向所述处理容器的内部供给非氧化性气体，并排出所述处理容器的内部的气体，从而冷却基板，

所述冷却工序中的非氧化性气体的供给量大于所述加热工序中的非氧化性气体的供给量，

所述冷却工序中的所述处理容器的内部的气体的排出量大于所述加热工序中的所述处理容器的内部的气体的排出量。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，将基板冷却到与所述定向自组装材料的玻璃化转变温度相同的温度以下。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述定向自组装材料包含第一聚合物和第二聚合物，

在所述加热工序中，使所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此相分离，

在所述冷却工序中，将基板冷却到与所述第一聚合物的玻璃化转变温度和所述第二聚合物的玻璃化转变温度中的至少一个相同的温度以下。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述加热工序中，将基板加热到300度以上。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，将所述处理容器的内部的氧气浓度保持在10000ppm以下。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，将所述处理容器的内部的氧气浓度保持在1000ppm以下。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述非氧化性气体是非活性气体。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述冷却工序中的所述处理容器的内部的压力是负压。

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述加热位置是与所述加热部的上表面接触的位置或者接近所述加热部的上表面的位置，

所述冷却位置是所述加热位置的上方的位置。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，从在位于所述冷却位置的基板的上方配置的上部供给口吹出所述非氧化性气体。

11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，从在所述加热部的上表面形成的加热部供给口吹出所述非氧化性气体。

12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，经在位于所述冷却位置的基板的侧方配置的侧部排出口，排出所述处理容器的内部的气体。

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，

所述侧部排出口的宽度大于基板的宽度。

14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述冷却工序中，经在所述加热部的上表面形成的加热部排出口，排出所述处理容器的内部的气体。