[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201810095611.7 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN108281451B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 柳田刚志;马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 卫李贤;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
这里描述固态成像装置以及制造固态成像装置的方法。作为示例,该固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板,第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上,并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。
本申请是申请日为2013年07月08日、申请号为201380036841.1、发明名称为“固态成像装置和电子设备”的专利申请的分案申请。
本申请是2015年11月10日提交的美国专利申请No.15/348,556的继续申请,其为2015年1月14日提交的美国专利申请No.14/414,710(已于2016年11月29日授权为专利号:9,508,770)的继续申请,该美国专利申请No.14/414,710是2013年7月8日提交的申请号为PCT/JP2013/004216的进入国家阶段的申请,该申请PCT/JP2013/004216要求了2012年7月18日提交的日本专利申请No.2012-159789的优先权,其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本公开涉及背照式固态成像装置以及具有该固态成像装置的电子设备。
背景技术
在固态成像装置中,在针对于改善光电转换效率或者入射光的灵敏度的同时,还提出了所谓的背照式结构,其中驱动电路形成在半导体基板的表面侧且背面侧是光接收表面。另外,除了其中形成光电转换元件的半导体基板外,还提出了三维(3D)结构,其中制备具有驱动电路形成其上的电路基板且连接到与半导体基板的光接收表面相反的面。例如,提出了一种构造,其中光敏二极管(PD)、浮置扩散(FD)以及转移栅极和转移晶体管之外的像素晶体管形成在彼此不同的基板上,并且该基板彼此接合(例如,见PTL 1).
[引用列表]
[专利文件]
[PTL 1]
日本未审查专利申请公开(PCT申请的翻译)No.2011-517506
发明内容
[技术问题]
在具有其中基板彼此接合的上述构造的背照式固态成像装置中,要求通过改善基板之间的连接可靠性而改善固态装置的可靠性。
所希望的是提供可改善可靠性的固态成像装置和电子设备。
[解决问题的技术方案]
这里描述固态成像装置和制造固态成像装置的方法。作为示例,固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板,第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上,并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。
作为进一步的示例,制造固态成像装置的方法包括在传感器基板上形成第一配线层、在电路基板上形成第二配线层、在第一配线层的表面上形成第一电极、在第二配线层的表面上形成第二电极、以及连接传感器基板到电路基板,第一配线层和第二配线层设在传感器基板和电路基板之间。
根据上述固态成像装置,光敏二极管和浮置扩散形成在第一半导体基板上,并且第二晶体管形成在第二半导体基板上。连接第二晶体管与浮置扩散的浮置扩散配线由第一电极和第二电极连接。这样,在浮置扩散配线中,第一半导体基板和第二半导体基板之间的连接表面与第一电极和第二电极结合,并且因此改善了配线的结合可靠性和基板之间的结合可靠性。因此,可改善固态成像装置和具有固态成像装置的电子设备的可靠性。
[本发明的有益效果]
根据本公开,能改善固态成像装置和电子设备的可靠性。
附图说明
图1是示出应用本公开的固态成像装置示例的示意性构造图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的