[发明专利]一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法在审
| 申请号： | 201810096527.7 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108277456A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘玉杰 | 申请（专利权）人： | 天津涂冠科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市津南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深径比 镀膜 管筒状工件 多弧离子镀 外加磁场 磁场部件 工件内孔 工作效率 内壁磨损 使用寿命 筒状通孔 工件孔 小孔径 对管 通孔 外端 装夹 磁场 腐蚀 局限 | ||
1.一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)预处理：将工件内外表面清洗干净，去除油污，脱去氧化膜；根据工件尺寸合理装夹磁场部件，检测磁场无误后放入工作腔体内，工件内孔正对靶位，靶基距28-30mm；抽真空，升温；
2)生成基础膜层：本底真空抽至8.0×10-3Pa以下，腔室温度升至200℃。通入Ar，直流偏压设定为200V；启动Cr弧靶，在工件内外表面沉积Cr基础膜层，沉积时间30s；
3)生成功能膜层：关闭Ar和Cr弧靶，通入N2(流量为500sccm)，其中，脉冲偏压设定为40～80V；启动CrAl合金靶，在工件内外工作面沉积CrAlN功能膜层，沉积时间25min；
4)薄膜沉积完成后，依次关闭弧靶、电源，逐步降温升压至腔室温度100℃以下，取出工件。
2.根据权利要求1所述一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法，其特征在于：所述工件基材选取不锈钢和硬质合金。
3.根据权利要求1所述的一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法，其特征在于：所述的磁场部件要使孔内磁场强度最小值大于10mT，磁场方向平行内孔表面且S极指向靶位；根据工件尺寸可选取不同的磁体尺寸及磁场强度。
4.根据权利要求1所述的一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法，其特征在于：所述的磁场部件的制作方式及构造如下：选取尺寸相同的小圆柱Sm2Co17磁体，根据工件轴向长度需求，将小圆柱Sm2Co17磁体N极与S极首尾相连呈长条柱状；再将足够数量的长条柱状磁体强制紧密覆盖在管筒状工件外表面，构成管筒状磁体。
5.权利要求4所述的一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法，其特征在于：所述的磁场部件，通过强制连接同极磁极在孔内形成近似平行于内壁的管筒状磁场区域。
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