[发明专利]一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法在审
| 申请号： | 201810096847.2 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108389913A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;温雷;李国强;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 肖特基结 背电极 光电转换效率 太阳能电池 石墨烯层 上表面 钝化 表面形成 钝化处理 界面问题 硫醇溶液 钝化膜 下表面 正电极 制备 电池 复合 | ||
1.一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将一面镀有背电极的GaAs片置于硫醇溶液中，钝化处理，GaAs片未镀有背电极的表面形成钝化膜；所述硫醇为18硫醇或12硫醇；
(2)将GaAs片中镀有背电极的一面称为下表面，另一面成为上表面；将石墨烯转移至GaAs片的上表面，获得石墨烯层；
(3)在石墨烯层上制备正电极。
2.根据权利要求1所述GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：所述硫醇为18硫醇。
3.根据权利要求1所述GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述钝化处理的时间为1～24h；所述硫醇溶液的浓度为2～50mM。
4.根据权利要求1所述GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述一面镀有背电极的GaAs片通过以下方法制备得到：
(S1)镀背电极：将GaAs晶圆上蒸镀一层金属，作为背电极；
(S2)电极退火：将镀有背电极的GaAs晶圆在保护性气体的氛围中，于200～600℃进行退火处理；
(S3)裂片：将镀有背电极的GaAs晶圆切割成方片，然后去除方片表面的杂质，获得一面镀有背电极的GaAs片。
5.根据权利要求4所述GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：步骤(S1)中所述背电极的厚度为50-200纳米；步骤(S2)中所述退火处理的时间为1～20分钟。
6.根据权利要求1所述GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：步骤(2)中石墨烯层的层数为2～10层。
7.一种由权利要求1～6任一项所述方法得到的石墨烯肖特基结太阳能电池。
8.一种太阳能电池，包括权利要求7所述石墨烯肖特基结太阳能电池的结构。
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