[发明专利]一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法

权利要求书

1.一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，在N型磷化铟衬底上依次生长N型InP缓冲层、多量子阱结构、P型InP层、InGaAsP光栅层及InP光栅层，制得外延片；

S2，在所述外延片的外表面涂覆光刻胶，该光刻胶作为保护层，对光刻胶进行一次处理后获得分布反馈布拉格光栅，接着对该光刻胶进行二次处理，形成光栅图形；

S3，将涂覆了光刻胶并经过处理后的外延片进行光栅掩埋生长，依次获得P型InP层及本征InGaAsP层；

S4，于所述本征InGaAsP层采用掩膜层进行脊形掩膜光刻，形成脊条和掩膜区域，并通过非选择性湿法腐蚀液和选择性腐蚀液进行脊形腐蚀，以形成两个凹槽；

S5，对两个凹槽进行650～750℃的高温处理，从而在每一凹槽靠近底部处生长第一电流阻挡层，在每一凹槽靠近顶部处生长第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层为P型InP层，所述第二电流阻挡层为N型InP层；

S6，将腐蚀后所述脊条上形成的介质膜去除，并采用InGaAsP选择性腐蚀液来腐蚀本征InGaAsP层，并在两个所述凹槽的所述第二电流阻挡层上依次外延生长P型InP覆盖层和P型InGaAs接触层；

S7，再次采用光刻胶作为掩膜层，并对S6步骤中获得的整体进行非选择性腐蚀，以形成双沟；

S8，完成非选择性腐蚀后，在整体的顶部生长二氧化硅或氮化硅介质膜，并进行P面电极制作，N面减薄及电极制作，解理，以及端面镀膜。

2.如权利要求1所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于：所述S1步骤、所述S3步骤、所述S5步骤、所述S6步骤以及所述S8步骤中的生长方式均采用金属有机化学气相沉积设备进行生长。

3.如权利要求1所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于：所述S5步骤中的高温处理采用金属有机化学气相沉积设备进行。

4.如权利要求1所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，所述S4步骤中，采用的非选择性腐蚀液为HBr、H₂O₂和H₂O组成的混合腐蚀液，各成分体积比为50:0.5:80；采用的选择性腐蚀液为H₃PO₄、H₂O₂和H₂O组成的混合腐蚀液，各成分体积比为5:1:50。

5.如权利要求1所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，在所述S2步骤中，一次处理的方式具体为：全息曝光法，或电子束缚光及显影法；二次处理的方式具体为：反应离子刻蚀技术和光栅湿法腐蚀技术。

6.如权利要求5所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀技术具体为：采用的反应气体为CH₄/H₂混合气体，其中CH₄流量为8～12sccm，H₂流量为30～50sccm，射频功率为50～150W，反应气压为30～50mTorr，反应温度为20～25℃，反应时间为4～6分钟。

7.如权利要求5所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，所述光栅湿法腐蚀技术所用的腐蚀液为HBr、H₂O₂和H₂O组成的混合腐蚀液，各成分体积比为21:0.5:1600。

8.如权利要求1所述的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，所述S6步骤中，采用的InGaAsP选择性腐蚀液为H₃PO₄、H₂O₂和H₂O组成的混合腐蚀液，各成分体积比为5:1:10，腐蚀时间为1～2min。