[发明专利]一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201810096981.2 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108375722B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 吴奇伟;尹彬锋;周柯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 独立 用于 可靠性 测试 结构 及其 方法 | ||
1.一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：包括
两片多晶硅，平行设置；
一待测结构，设置于所述两片多晶硅的间距的中间点；
两二极管温度传感器，对称设置于所述待测结构的两侧，也位于两片多晶硅的间距的中间点；
根据所述二极管温度传感器的温度反馈调整通过所述多晶硅的电流，以控制所述多晶硅产生的焦耳热。
2.根据权利要求1所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：所述二极管温度传感器和所述待测结构的尺寸大小一致。
3.根据权利要求2所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：所述二极管温度传感器连接电压测试仪。
4.根据权利要求3所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：两片多晶硅的材质和尺寸大小一致。
5.根据权利要求4所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：两片多晶硅均连通电路。
6.根据权利要求5所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：两片多晶硅中的电流大小一致。
7.根据权利要求1所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：两片多晶硅串联在电路中。
8.根据权利要求1所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：所述多晶硅表面无金属硅化物。
9.一种使用权利要求1所述的独立控温的用于可靠性测试的测试结构的测试方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1将两片多晶硅平行设置；
S2将待测结构和二极管温度传感器放置于所述两片多晶硅间距的中间点；
S3将多晶硅接入电路，调制通过多晶硅的电流产生焦耳热，使得多晶硅温度线性增加；
S4监控二极管温度传感器的两端电压并进而换算成二极管温度，当接近预定目标温度时，适当调整电流，使得温度平滑的增加到目标温度；
S5达到目标温度后，通过二极管温度传感器的反馈，不断微调通过多晶硅的电流，使得温度维持在目标温度并对待测结构进行可靠性测试。
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