[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201810097795.0 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108267926A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 胡海峰;张明;丁贤林;马伟杰;刘欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/30 | 分类号: | G03F1/30;H01L21/027 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻胶图形 膜层 膜层图形 显示基板 显示装置 掩膜版 基底 制作 光刻胶层 间隔设置 显示产品 刻胶层 底切 刻蚀 良率 显影 曝光 脱离 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,用于形成显示基板上的膜层图形,所述掩膜版包括:
至少一组掩膜图形,每一组所述掩膜图形包括:对应所述膜层图形的第一图形,以及位于所述第一图形的至少相对的两侧的第二图形,所述第二图形与所述第一图形间隔设置,所述第二图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一图形在同一方向上的线宽,所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值,所述第一图形和第二图形均为透光图形或不透光图形。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一图形在同一方向上的线宽的5%~10%。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第二图形与所述第一图形之间的间距等于所述第一图形在与所述第二图形的延伸方向垂直的方向上的线宽的5%~10%。
4.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基底;
在所述基底上形成待构图的膜层和光刻胶层;
采用如权利要求1-3任一项所述的掩膜版,对所述光刻胶层进行曝光,并显影,形成至少一组光刻胶图形,每一组所述光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形,所述第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形,所述第二光刻胶图形位于所述第一光刻胶图形的至少相对的两侧,与所述第一光刻胶图形间隔设置,所述第二光刻胶图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一光刻胶图形在同一方向上的线宽,所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值;
对所述待构图的膜层进行湿刻,使得所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀,所述第二光刻胶图形下方的膜层从所述基底上脱离,所述第一光刻胶图形下方的膜层形成所述膜层图形。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形在所述同一方向上的线宽的5%~10%。
6.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述第二光刻胶图形与所述第一光刻胶图形之间的间距等于所述第一光刻胶在与所述第二光刻胶图形的延伸方向垂直方向上的线宽的5%~10%。
7.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述膜层采用金属或金属氧化物形成。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述膜层图形为金属走线。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板为触控显示基板,所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
11.一种显示基板,其特征在于,采用如权利要求4-10任一项所述的方法制作而成,所述显示基板包括:
基底,以及设置于所述基底上的膜层图形,所述膜层图形的垂直剖面呈正梯形。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
13.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为触控显示基板,所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11-13任一项所述的显示基板。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备