[发明专利]一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷

权利要求书

1.一种富碳先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将碳源与含Si-H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；所述混合是在真空条件下进行的；

(2)将步骤(1)得到的混合液在65～80℃的条件下保温10～20h，得到混合料；

(3)将步骤(2)得到的混合料进行固化，得到固化产物；所述固化包括初步固化和完全固化；初步固化是在空气气氛中进行的；完全固化是在惰性气氛中进行的；所述初步固化为将步骤(2)得到的混合料在120～130℃的条件下保温2～3h，得到初步固化产物；所述完全固化为将初步固化产物在350～450℃的条件下保温2～6h，得到固化产物；

(4)将步骤(3)得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；压制成型的压力为350～500MPa，保压时间为5～8min；

(5)将步骤(4)得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；

其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述含Si-H键的聚硅聚合物选自由聚碳硅烷、聚硅氮烷和聚铝硅氮烷组成的组。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述含Si-H键的聚硅聚合物为聚硅氮烷。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述碳源与Si-H键的聚硅聚合物的重量份数比为1：(1～99)。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：

所述碳源与Si-H键的聚硅聚合物的重量份数比为1：(1～19)。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：

所述碳源与Si-H键的聚硅聚合物的重量份数比为1：(1～9)。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(5)中的烧结是在惰性气氛中进行的，所述惰性气氛为氩气气氛或氮气气氛。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：

所述惰性气氛为纯度为99.9％的氩气气氛。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述惰性气氛为氩气气氛或氮气气氛。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：

所述惰性气氛为纯度为99.9％的氩气气氛。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

在将先驱体进行烧结之前，先将碳粉覆盖在所述先驱体上再进行烧结。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中的混合是在65～80℃的油浴条件下进行。

13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(4)中的过筛采用150目筛网；和/或

步骤(5)中烧结的温度为900～1200℃，烧结的时间为2～3h。

14.由权利要求1至13任一项所述的制备方法制得的富碳先驱体陶瓷，其特征在于：所述富碳先驱体陶瓷为富碳SiCN先驱体陶瓷、富碳SiC先驱体陶瓷或富碳SiAlCN先驱体陶瓷。