[发明专利]一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法有效
| 申请号： | 201810099411.9 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108376638B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡志国;黄小琳;张榜 | 申请（专利权）人： | 深圳凯世光研股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J61/04 | 分类号： | H01J61/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 44218 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化二钨 表面渗透 钍钨电极 疏松 涂覆溶液 渗碳层 制作 金相显微镜 乙基纤维素 发射物质 厚度均匀 厚度增大 乙酸丁酯 灯管 电极 石墨粉 烘干 渗碳 涂覆 加热 无毒 迁移 观察 安全 | ||
1.一种钍钨电极，其特征在于，所述的钍钨电极表面渗透有碳化二钨层，所述的碳化二钨层结构为疏松细层状，厚度在60-80µm;
碳化二钨层的采用如下方法渗透：
（1）制备涂覆溶液：将重量比为（5-7）：（0.3-0.6）：（0.6-0.9）的乙酸丁酯、乙基纤维素和石墨粉混合均匀；
（2）清洁钍钨电极表面后，涂覆步骤（1）中的溶液，分为多次涂覆，每次涂覆厚度为0.3-0.4mm，每次涂覆待干燥后再进行下一次的涂覆，使得最终涂覆的总厚度为1-1.2mm；
（3）将步骤（2）中涂覆并干燥完毕的电极置于高频铜圈内，盖上保护罩，在渗碳炉内于真空条件下缓慢升温到1700-1900℃，然后向渗碳炉内流动注入氩气降温，维持时间为25-30min；然后关闭高频加热，继续用氩气降温；
（4）取出电极，渗透碳化二钨层完毕。
2.一种在钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法，其特征在于，所述的方法包括如下的步骤：
（1）制备涂覆溶液：将重量比为（5-7）：（0.3-0.6）：（0.6-0.9）的乙酸丁酯、乙基纤维素和石墨粉混合均匀；
（2）清洁钍钨电极表面后，涂覆步骤（1）中的溶液，分为多次涂覆，每次涂覆厚度为0.3-0.4mm，每次涂覆待干燥后再进行下一次的涂覆，使得最终涂覆的总厚度为1-1.2mm；
（3）将步骤（2）中涂覆并干燥完毕的电极置于高频铜圈内，盖上保护罩，在渗碳炉内于真空条件下缓慢升温到1700-1900℃，然后向渗碳炉内流动注入氩气降温，维持时间为25-30min；然后关闭高频加热，继续用氩气降温；
（4）取出电极，渗透碳化二钨层完毕。
3.如权利要求2所述的在钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法，其特征在于，步骤（3）中在0.1Pa条件下缓慢升温到1700-1900℃。
4.如权利要求2所述的在钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法，其特征在于，步骤（3）中关闭高频加热后继续用氩气降温至电极表面温度为150℃。
5.如权利要求2所述的在钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法，其特征在于，步骤（2）中涂覆次数为3-4次。
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