[发明专利]多用途的高信噪比式物联网射频电路、电路板、芯片及终端

权利要求书

1.一种物联网射频信号接收电路，其特征在于，所述物联网射频信号接收电路包括：天线电路、第一滤波电路、开关电路、第二滤波电路、改进的低噪声放大电路和改进的混频电路；

所述天线电路的输出端与所述第一滤波电路的输入端连接，所述第一滤波电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接，所述第二滤波电路的输出端与所述改进的低噪声放大电路的输入端连接，所述改进的低噪声放大电路的输出端与所述改进的混频电路连接；

所述第一滤波电路包括：第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件、第四滤波器件、第五滤波器件、第六滤波器件和第七滤波器件；

所述第一滤波器件的第一端与所述第二滤波器件的第一端连接，所述第一滤波器件的第二端与所述第三滤波器件的第一端连接，所述第二滤波器件的第二端与所述第四滤波器件的第一端和所述第五滤波器件的第一端连接，所述第三滤波器件的第二端与所述第四滤波器件的第二端和所述第六滤波器件的第一端连接，所述第五滤波器件的第二端与所述第七滤波器件的第一端连接，所述第六滤波器件的第二端与所述第七滤波器件的第二端连接，所述第一滤波电路的输入端包括所述第一滤波器件的第一端和第二端，所述第一滤波电路的输出端包括第七滤波器件的第一端和第二端；

或者，所述第一滤波电路包括：第八滤波器件、第九滤波器件、第十滤波器件和第十一滤波器件；

所述第八滤波器件的第一端与所述天线电路的输出端连接，所述第八滤波器件的第二端与所述第九滤波器件的第一端以及所述第十滤波器件的第一端连接，所述第九滤波器件的第二端与所述第十一滤波器件的第一端连接，所述第十滤波器件的第二端与所述第十一滤波器件的第二端连接，所述第一滤波电路的输入端包括所述第八滤波器件的第一端和所述第十滤波器件的第二端，所述第一滤波电路的输出端包括所述第十一滤波器件的第一端和第二端；

或者，所述第一滤波电路包括：第十二滤波器件、第十三滤波器件、第十四滤波器件、第十五滤波器件、第十六滤波器件和第十七滤波器件；

所述第十二滤波器件的第一端与所述天线天路的输出端连接，所述第十二滤波器件的第二端与所述第十三滤波器件的第一端以及第十四滤波器件的第一端连接，所述第十三滤波器件的第二端与所述第十五滤波器件的第一端连接以及第十六滤波器件的第一端连接，所述第十四滤波器件的第二端与所述第十六滤波器件的第二端以及第十七滤波器件的第二端连接；所述第十五滤波器件的第二端与所述第十七滤波器件的第一端连接，所述第一滤波电路的输入端包括所述第十二滤波器件的第一端和所述第十四滤波器件的第二端，所述第一滤波电路的输出端包括所述第十七滤波器件的第一端和第二端；

滤波器件为声表面波滤波器件；

所述改进的低噪声放大电路包括第一放大电路和第一匹配度提升电路，所述第一匹配度提升电路的第一端与所述第一放大电路连接，所述第一匹配度提升电路的第二端接地，所述第一放大电路包括第一放大电路的第一电源、第一放大电路的第二电源、第三电源、第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和第一电容；

所述第一放大电路第一电源的输出端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第一放大电路的第二电源的输出端与所述第一匹配度提升电路的输入端以及第二场效应晶体管的栅极连接，所述第一匹配度提升电路的输出端接地，所述第二场效应晶体管的源极与所述第一场效应晶体管的漏极连接，所述第二场效应晶体管的漏极与所述第一电容的第一端以及第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源的输出端连接，所述改进的低噪声放大电路的输入端口为所述第一电感的第一端，所述改进的低噪声放大电路的输出端为所述第一电容的第二端；

或者，所述改进的低噪声放大电路包括第二放大电路和第二匹配度提升电路，所述第二放大电路和所述第二匹配度提升电路连接，其中第二放大电路包括第四电源、第五电源、第六电源、第四电感、第五电感、第六电感、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管和第三电容；所述第四电源的输出端与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第三场效应晶体管的栅极以及第二匹配度提升电路的第一端连接，所述第二匹配度提升电路的第二端与所述第五电感的第一端以及第三场效应晶体管的源极连接，所述第五电感的第二端接地，所述第三场效应晶体管的漏极与所述第四场效应晶体管的源极连接，所述第四场效应晶体管的栅极与所述第五电源的输出端连接，所述第四场效应晶体管的漏极与所述第六电感的第一端以及第三电容的第一端连接，所述第六电感的第二端与所述第六电源的输出端连接，所述改进的低噪声放大电路的输入端口为所述第四电感的第一端，所述改进的低噪声放大电路的输出端为所述第三电容的第二端；

所述改进的混频电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第四电容、第五电容、第二电阻、第三电阻、第七电感、第八电感、改进的混频电路的第一电源和改进的混频电路的第二电源；

所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极和地连接，所述第一晶体管的漏极和所述第七电感的第一端、所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接，所述第七电感的第二端与所述第四电容的第一端和所述改进的混频电路的第一电源连接，所述第四电容的第二端接地，所述第三晶体管的漏极与所述第二电阻连接，所述第四晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极连接，所述第二晶体管的漏极与所述第八电感的第一端、所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的源极连接，所述第八电感的第二端与所述改进的混频电路的第二电源和所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端接地，所述第六晶体管的漏极与所述第三电阻连接；

所述改进的混频电路的输入端为所述第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极，所述改进的混频电路的输出端为所述第四晶体管的漏极、所述第五晶体管的漏极。