[发明专利]带静电防护功能的电路、高压集成电路以及空调器

权利要求书

1.一种带静电防护功能的电路，具有电源线和接地线，其特征在于，所述带静电防护功能的电路包括：

电压检测电路，连接于所述电源线和接地线之间，用于检测所述电源线和接地线之间的静电电压；

主泄放电路，与所述电压检测电路电连接，以在所述电压检测电路检测到静电电压时，为静电电流提供泄放通道；

待防护电路，包括待防护主电路单元以及与所述待防护主电路单元电连接的辅助防护电路单元；所述辅助防护电路连接于所述电源线和接地线之间，以在静电发生时，为所述静电电流提供泄放通道。

2.如权利要求1所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述电压检测电路为压控触发式电路，所述压控触发式电路包括比较器，所述比较器的输入端为所述电源线和/或所述接地线，所述比较器的参考端为预设的参考电压，所述比较器的输出端与所述主泄放电路电连接；

或者，所述电压检测电路为电容、电阻组成的充放电电路，所述充放电电路用以在静电发生瞬间，输出过压信号至所述主泄放电路。

3.如权利要求2所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述主泄放电路包括并联连接于所述电源线和接地线之间的正向泄放电路和负向泄放电路；所述正向泄放电路和/或负向泄放电路与所述电压检测电路电连接。

4.如权利要求3所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述正向泄放电路至少包括第一PMOS管，所述负向泄放电路至少包括第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述电压检测电路的输出端连接，所述第一PMOS管的源极与所述电源线连接，所述第一PMOS管的漏极与所述接地线连接；

所述第一NMOS管的栅极接地，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述电源线连接。

5.如权利要求1至4任意一项所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述待防护电路具有输入端和输出端，所述待防护主电路单元具有信号输入端、信号输出端；所述输入端与所述信号输入端连接；

所述辅助防护电路包括第一泄放管和第二泄放管；所述第一泄放管串联于所述电源线和所述输入端之间，所述第二泄放管串联于所述输入端和所述接地线之间，所述第一泄放管与所述第二泄放管共同形成所述电源线与接地线之间、所述输入端与电源线、所述输入端与接地线之间的泄放通道。

6.如权利要求5所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述第一泄放管为第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极与所述电源线连接，所述第二PMOS管的源极与所述电源线连接，所述第二PMOS管的漏极与所述信号输入端、所述输入端互连；

所述第二泄放管为第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述接地线连接，所述第二NMOS管的漏极与所述信号输入端，以及所述输入端互连，所述第二NMOS管的源极与所述接地线连接。

7.如权利要求5所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述带静电防护功能的电路还包括第一电阻和第一二极管；

所述第一电阻的第一端与所述输入端连接，所述第一电阻的第二端与所述信号输入端连接；所述第一二极管的阴极与所述信号输入端连接，所述第一二极管的阳极与所述接地线连接。

8.如权利要求1所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述待防护电路还包括输出防护电路单元，所述输出防护电路单元与所述待防护主电路单元的信号输出端连接；

所述输出防护电路包括第三PMOS管、第三NMOS管、第一反向器、第二反相器；所述第一反向器的输入端与待防护主电路单元的信号输出端连接，所述第一反向器的输出端与第二反相器的输入端连接；所述第二反向器的输出端与第三PMOS管的漏极、第三NMOS管的源极互连，所述第三PMOS管的源极和栅极与所述电源线连接，所述第三NMOS管的栅极和源极与所述接地线连接，且所述第二反向器的输出端为所述待防护电路的输出端。

9.如权利要求1所述的带静电防护功能的电路，其特征在于，所述待防护电路为集成电路。