[发明专利]一种光探测器、阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201810100921.3 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108321161B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 李东升;吴慧利;任庆荣;孙建明;李士佩;尹东升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/77;G06K9/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张雨竹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 阵列 显示 面板 | ||
1.一种光探测器,其特征在于,包括层叠设置于基板上的电阻和第二光电二极管;所述第二光电二极管包括层叠设置的第三电极和第四电极;
所述电阻的一端与第一电源端电连接,另一端与所述第三电极电连接;所述第四电极与第二电源端电连接;
所述第二光电二极管用于在所述第一电源端和所述第二电源端加载的反向偏压作用下,检测指纹反射光的强度;
所述电阻由第一光电二极管代替,且所述第一光电二极管设置于所述第二光电二极管靠近所述基板一侧;
所述第一光电二极管包括层叠设置的第一电极和第二电极;所述第一电极与所述第一电源端电连接,所述第二电极与所述第三电极电连接;
其中,所述第二电极不透明;或者,在所述第一光电二极管被所述第三电极覆盖的情况下,所述第三电极不透明。
2.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于,还包括:探测TFT;
所述探测TFT包括第一栅极、第一极和第二极;所述探测TFT的第一栅极与所述第三电极电连接,第一极与第三电源端电连接,第二极与读取信号线电连接;
所述探测TFT用于在所述第三电极的控制下,向所述读取信号线输出电流。
3.根据权利要求2所述的光探测器,还包括:第二开关TFT;
所述第二开关TFT包括第二栅极、第三极和第四极;所述第二开关TFT的第三极与所述第三电源端电连接,第四极与所述探测TFT的第一极电连接;
所述第三电源端输出恒定电压。
4.根据权利要求3所述的光探测器,其特征在于,还包括:第三开关TFT;所述第三开关TFT包括第三栅极、第五极和第六极;
所述第三开关TFT的第五极与所述第一电源端电连接,第六极与所述电阻的一端电连接;
所述第一电源端和所述第二电源端均输出恒定电压。
5.根据权利要求3所述的光探测器,其特征在于,所述第二开关TFT的第二栅极与所述探测TFT的第一栅极同层设置;
所述第二开关TFT的第三极和第四极、所述探测TFT的第一极和第二极同层设置;
所述读取信号线与所述第一栅极和/或所述第一极和所述第二极同层设置。
6.根据权利要求4所述的光探测器,其特征在于,所述第三开关TFT的第三栅极与所述第二开关TFT的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置;
所述第三开关TFT的第五极和第六极与所述第二开关TFT的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置。
7.根据权利要求4所述的光探测器,其特征在于,所述电阻由第一光电二极管代替;
所述光探测器还包括第一辅助电极和/或第二辅助电极,第四电极通过所述第一辅助电极和/或所述第二辅助电极与所述第二电源端电连接;
在所述光探测器包括所述第一辅助电极的情况下,所述第一辅助电极与第一电极同层设置;
在所述光探测器包括所述第二辅助电极的情况下,所述第二辅助电极与第二电极或所述第三电极同层设置。
8.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的光探测器。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求8所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810100921.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性显示面板及显示装置
- 下一篇:影像撷取装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的