[发明专利]一种光伏电池元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光伏电池元件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)P型硅基底的表面制绒处理，在P型硅基底表面形成绒面层；

(2)在所述P型硅基底的上表面和下表面均喷涂含有乙酰烷氧基二异丙醇铝的溶液，并进行退火处理，以形成氧化铝层；

(3)在所述P型硅基底的上表面形成N型多晶硅层；

(4)在所述N型多晶硅层的表面喷涂含有异丙醇钇的溶液，并进行退火处理，以形成氧化钇层；

(5)在所述氧化钇层的表面沉积透明导电层；

(6)在所述透明导电层表面形成上电极，并在所述P型硅基底的背面形成下电极；

其中，在所述步骤(2)中，喷涂含有乙酰烷氧基二异丙醇铝的溶液的次数为2-5次，且每次喷涂工序之后直接进行一次退火处理，然后再进行下一次的喷涂工序，含有乙酰烷氧基二异丙醇铝的溶液中的乙酰烷氧基二异丙醇铝的浓度为0.05-0.15mg/ml，每次退火处理的具体工艺为：在空气中，先在200-300℃下热处理5-15分钟，接着升温至400-500℃，并在400-500℃的温度下热处理30-40分钟；

其中，在所述步骤(4)中，喷涂含有异丙醇钇的溶液的次数为3-6次，多次喷涂工艺结束之后进行所述退火处理，含有异丙醇钇的溶液中的异丙醇钇的浓度为0.1-0.3mg/ml，所述退火处理的具体工艺为：在空气中，在300-600℃的温度下热处理20-60分钟。

2.根据权利要求1所述的光伏电池元件的制造方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，通过碱制绒工艺形成所述绒面层，所述绒面层中含有多个金字塔凸起结构。

3.根据权利要求1所述的光伏电池元件的制造方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，在所述P型硅基底的上表面形成N型多晶硅层的具体工艺为：首先在所述P型硅基底的上表面沉积含磷非晶硅层，然后通过退火处理以形成所述N型多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的光伏电池元件的制造方法，其特征在于：所述透明导电层的材质为ITO，所述上电极的材质为银，所述下电极的材质为铝。

5.一种光伏电池元件，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的方法制备形成的。