[发明专利]薄膜太阳能电池组件在审
申请号: | 201810102076.3 | 申请日: | 2018-02-01 |
公开(公告)号: | CN108565303A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 赵树利;郭逦达;李新连;陈涛;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜太阳能电池组件 刻划 背电极层 电池单元 绝缘部 基底 间隔设置 间距减小 转换效率 死区 填充 串联 贯穿 | ||
1.一种薄膜太阳能电池组件,其包括一基底及设置于所述基底上的多个串联且相互间隔设置的电池单元,每一个所述电池单元包括依次设置的背电极层、光吸收层、缓冲层、及上电极层,其特征在于,相邻的所述电池单元的背电极层之间设有贯穿所述背电极层的第一凹槽,所述第一凹槽内填充有绝缘部,以使相邻的电池单元的背电极层之间绝缘间隔,每一个所述电池单元开设有贯穿所述光吸收层及所述缓冲层的第二凹槽,所述上电极层覆盖所述缓冲层并延伸至所述第二凹槽而接触相邻的所述电池单元的背电极层,进而将相邻的所述电池单元串联,相邻的所述电池单元之间开设有第三凹槽,所述第三凹槽将相邻的所述电池单元的上电极层绝缘间隔。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述第三凹槽贯穿并间隔相邻的所述电池单元的上电极层、缓冲层以及光吸收层。
3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述绝缘部采用掩模沉积方式填充至所述第一凹槽。
4.如权利要求3所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述绝缘部的材料为Si3N4、AlN、SiO2、Al2O3中的至少一种。
5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述第二凹槽的底部位于所述绝缘部与相邻的所述电池单元的背电极层的交界处,位于所述第二凹槽内的上电极层覆盖部分绝缘部以及相邻的电池单元的部分的背电极层。
6.如权利要求5所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,定义所述上电极层延伸至所述第二凹槽的部分与所述绝缘部的重叠区域的宽度为d1,所述绝缘部的宽度为m,m及d1满足以下条件:m>d1>0。
7.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述薄膜太阳能电池组件还包括至少一氧化锌层,所述氧化锌层设置于所述背电极层与光吸收层之间、光吸收层与缓冲层之间、或缓冲层与上电极层之间。
8.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述第二凹槽及第三凹槽的宽度为50μm~80μm。
9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述绝缘部的厚度大于等于所述背电极层的厚度。
10.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述光吸收层的材料为铜铟镓硒、铜铟硒、铜铟镓硫中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的