[发明专利]通过施加电流制备多晶结构无铅互连焊点的方法

权利要求书

1.一种通过施加电流制备多晶结构无铅互连焊点的方法，制作的焊点多晶比例达到100％，焊点结构分为对接、搭接和BGA封装组件，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)、根据实际需要进行焊盘或芯片的制作，并进行清除焊盘表面的氧化物和污染物；采用硝酸水溶液清除焊盘表面的氧化物，采用丙酮或乙醇清除焊盘表面的污染物；

(2)、制作对接或搭接焊点时，准备钎料，为后续多晶结构焊点的重熔制备做准备；

制作球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)焊点封装结构时，则首先需要将钎料制备成钎料球，然后采用重熔工艺回流曲线进行钎料球与焊盘或者芯片的重熔连接，冷却至室温，得到的带有凸点的焊盘或芯片，为后续具有多晶结构焊点封装组件的重熔制备做准备；

(3)、制作对接或搭接焊点时，在两个焊盘之间涂敷焊膏，采用重熔工艺回流曲线，并且在焊点重熔过程中对焊点通电，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的对接或搭接焊点；

制备BGA封装结构时，将步骤(2)已经制备好得到的带有凸点的焊盘或芯片通过重熔工艺回流曲线焊接到空芯片或空焊盘上，并且在焊点重熔过程中对封装结构通电，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的BGA焊点；

所述钎料或焊膏选自二元合金SnCu系列、SnAg系列、SnZn系列、SnBi系列或SnIn系列，或选自三元合金SnAgCu系列、SnAgBi系列或SnAgIn系列，或选自四元SnAgBiIn系列无铅钎料；所述焊盘或芯片选自Cu、Cu/Ni/Au、Cu/Cu₆Sn₅；所述通电过程电流密度为1×10²至1×10⁶A/cm²，施加停止时间在焊点冷却凝固过程开始时刻之后；所述步骤(2)和步骤(3)中的重熔，温度范围均选择200℃到700℃。

2.按照权利要求1所述的一种通过施加电流制备多晶结构无铅互连焊点的方法，其特征在于，所述步骤(2)和步骤(3)的冷却，均选自随炉冷却、空冷、风冷、水冷或油冷的冷却方式。