[发明专利]基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法

权利要求书

1.一种基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法，应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号，其特征在于，包括：

接收输入的单对电极电容成像缺陷检测信号，其中所述单对电极电容成像缺陷检测信号包含有限个依次增大的提离距离(L₁L₂……L_n-1L_n)下缺陷引起的探头电压输出信号(Y₁、Y₂、……、Y_n-1、Y_n)和有限个依次增大的提离距离下无缺陷时探头检测输出的背景值(Yb₁、Yb₂、……、Yb_n-1、Yb_n)以及外界因素引起的噪声扰动信号；

对所述提离距离L₁下缺陷引起的探头电压输出信号Y₁与所述提离距离L₁下无缺陷时探头检测输出的背景值Yb₁作差值并求出缺陷判别畸变率信号ΔY₁＝(Y₁-Yb₁)/Yb₁，并将所述缺陷判别畸变率信号ΔY₁输入到低通滤波器；

判断所述低通滤波器输出的缺陷判别畸变率信号ΔY₁的绝对值|ΔY₁|是否大于等于预设阀值P₀；如果是，判断有缺陷存在；如果否，判断缺陷不存在；

如果缺陷存在，判断所述低通滤波器输出的缺陷判别畸变率信号ΔY₁是否小于0；如果是，判断缺陷为非导体层表面缺陷；如果否，将所述提离距离L₂下缺陷引起的探头电压输出信号Y₂与所述提离距离L₂下无缺陷时探头检测输出的背景值Yb₂作差值并求出缺陷判别畸变率信号ΔY₂＝(Y₂-Yb₂)/Yb₂，并将所述缺陷判别畸变率信号ΔY₂输入到低通滤波器；

判断所述低通滤波器输出的缺陷判别畸变率信号ΔY₂是否大于ΔY₁；如果是，判断缺陷为非导体层内部缺陷；如果否，依次对所述提离距离L_n-1下的Y_n-1与Yb_n-1和所述L_n下的Y_n与Yb_n作差值并求出缺陷判别畸变率信号ΔY_n-1＝(Y_n-1-Yb_n-1)/Yb_n-1和ΔY_n＝(Y_n-Yb_n)/Yb_n， n＞2，且为整数，并判断ΔY_n是否大于ΔY_n-1，如果否，判断缺陷为分界面缺陷；如果是，判断缺陷为非导体层内部缺陷。

2.根据权利要求1所述的一种基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法，其特征在于，所述接收输入的单对电极电容成像缺陷检测信号之前，包括：

接收检测探头输入的至少一次应用场合下定义的最小缺陷样本单对电极电容成像检测信号；

根据至少一次样本单对电极电容成像缺陷检测信号获取所述预设阀值P₀。

3.根据权利要求1所述的一种基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法，其特征在于，所述接收输入的单对电极电容成像缺陷检测信号，包括：

接收检测探头输入的至少两次(n≥2)提离单对电极电容成像缺陷检测信号和外界因素引起的噪声扰动信号；

获取至少两次(n≥2)提离下无缺陷时探头检测输出的背景值。