[发明专利]可变增益放大器装置与电力系统

权利要求书

1.一种可变增益放大器装置，包括：

第一输入晶体管，包括第一端子、第二端子和第三端子，所述第一输入晶体管被配置为在所述第一端子处接收第一输入电压；

第二输入晶体管，包括第四端子、第五端子和第六端子，所述第二输入晶体管被配置为在所述第四端子处接收第二输入电压；

第一输出端子，用于提供第一输出电压；

第二输出端子，用于提供第二电压；

第一负载，耦接至所述第二端子和所述第一输出端子；

第二负载，耦接至所述第五端子和所述第二输出端子；

控制模块，被配置为生成第一调节信号和第二调节信号，如果所述可变增益放大器装置的增益设置低于第一预定阈值，则所述第二调节信号处于低增益设置；

第一调节部，包括第一电阻器和第一调节晶体管，所述第一调节晶体管耦接至所述第一调节信号，所述第一调节部耦接至所述第三端子和所述第六端子；以及

第二调节部，包括第二调节晶体管，所述第二调节部耦接至所述第二调节信号，所述第二调节部耦接至所述第三端子和所述第六端子；

其中所述第一调节信号改变所述第一调节晶体管的阻抗值，所述第一调节晶体管的阻抗值是预定的。

2.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，如果所述可变增益放大器装置的增益设置高于所述第一预定阈值，则所述第一调节信号和所述第二调节信号都有效。

3.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述控制模块从外部装置接收增益设置信号。

4.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述第一调节部和所述第二调节部被配置成并联。

5.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述第一输入晶体管包括MOSFET器件。

6.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述可变增益放大器装置的增益与跨导值基本上成比例。

7.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述第一负载包括负载晶体管。

8.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述第一负载包括负载电阻器。

9.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述第一调节信号表示用于所述第一调节晶体管的“导通”或“闭合”状态。

10.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，进一步包括第三调节部。

11.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，其中，所述控制模块包括用于生成所述第一调节信号和所述第二调节信号的状态机。

12.根据权利要求1所述的可变增益放大器装置，进一步包括：被配置为基于数模转换器代码生成所述第一调节信号的第一数模转换器。

13.一种用于调整信号增益的电力系统，所述电力系统包括：

放大器部，包括：

第一输入晶体管，包括第一端子、第二端子和第三端子，所述第一输入晶体管被配置为在所述第一端子处接收第一输入电压；

第二输入晶体管，包括第四端子、第五端子和第六端子，所述第二输入晶体管被配置为在所述第四端子处接收第二输入电压；

第一输出端子，用于提供第一输出电压；

第二输出端子，用于提供第二电压；

第一负载，耦接至所述第二端子和所述第一输出端子；

第二负载，耦接至所述第五端子和所述第二输出端子；

控制模块，被配置为生成第一调节信号和第二调节信号，如果可变增益放大器的增益设置低于第一预定阈值，则所述第二调节信号无效；

第一调节部，包括第一电阻器和第一调节晶体管，所述第一调节晶体管耦接至所述第一调节信号，所述第一调节部耦接至所述第三端子和所述第六端子；以及

第二调节部，包括第二调节晶体管，所述第二调节部耦接至所述第二调节信号，所述第二调节部耦接至所述第三端子和所述第六端子；

其中所述第一调节信号改变所述第一调节晶体管的阻抗值，所述第一调节晶体管的阻抗值是预定的。