[发明专利]抗弯曲多模光纤

权利要求书

1.一种抗弯曲多模光纤，其特征在于，包括：

芯层，所述芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为2.04，所述芯层的半径R1为9.8μm，所述芯层的最大相对折射率差Δ1％_max为0.85％；所述芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述芯层中锗的贡献折射率为0.93％，所述芯层中氟的贡献折射率为-0.08％；

内包层，其紧密围绕所述芯层，所述内包层的半径R2为10.8μm，所述内包层的相对折射率差Δ2％为-0.05％；所述内包层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述内包层中锗的贡献折射率为0.05％，所述内包层中氟的贡献折射率为-0.10％；以及

下陷包层，其紧密围绕所述内包层，所述下陷包层的半径R3为13μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3％为-0.3％；

外包层，其紧密围绕所述下陷包层；所述外包层的半径R4为62.5μm；

其中，所述相对折射率差均以所述外包层的折射率为基准。

2.一种抗弯曲多模光纤，其特征在于，包括：

芯层，所述芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为2.01，所述芯层的半径R1为10μm，所述芯层的最大相对折射率差Δ1％_max为0.9％；所述芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述芯层中锗的贡献折射率为0.98％，所述芯层中氟的贡献折射率为-0.08％；

内包层，其紧密围绕所述芯层，所述内包层的半径R2为11.5μm，所述内包层的相对折射率差Δ2％为-0.03％；所述内包层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述内包层中锗的贡献折射率为0.12％，所述内包层中氟的贡献折射率为-0.15％；以及

下陷包层，其紧密围绕所述内包层，所述下陷包层的半径R3为13.5μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3％为-0.4％；

外包层，其紧密围绕所述下陷包层；所述外包层的半径R4为62.5μm；

其中，所述相对折射率差均以所述外包层的折射率为基准。

3.一种抗弯曲多模光纤，其特征在于，包括：

芯层，所述芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为1.99，所述芯层的半径R1为10.2μm，所述芯层的最大相对折射率差Δ1％_max为0.95％；所述芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述芯层中锗的贡献折射率为1.04％，所述芯层中氟的贡献折射率为-0.09％；

内包层，其紧密围绕所述芯层，所述内包层的半径R2为12μm，所述内包层的相对折射率差Δ2％为0％；所述内包层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述内包层中锗的贡献折射率为0.15％，所述内包层中氟的贡献折射率为-0.15％；以及

下陷包层，其紧密围绕所述内包层，所述下陷包层的半径R3为14μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3％为-0.5％；

外包层，其紧密围绕所述下陷包层；所述外包层的半径R4为62.5μm；

其中，所述相对折射率差均以所述外包层的折射率为基准。

4.一种抗弯曲多模光纤，其特征在于，包括：

芯层，所述芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为1.97，所述芯层的半径R1为10.5μm，所述芯层的最大相对折射率差Δ1％_max为1.0％；所述芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述芯层中锗的贡献折射率为1.08％，所述芯层中氟的贡献折射率为-0.08％；

内包层，其紧密围绕所述芯层，所述内包层的半径R2为13μm，所述内包层的相对折射率差Δ2％为0.01％；所述内包层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述内包层中锗的贡献折射率为0.15％，所述内包层中氟的贡献折射率为-0.14％；以及

下陷包层，其紧密围绕所述内包层，所述下陷包层的半径R3为16μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3％为-0.6％；

外包层，其紧密围绕所述下陷包层；所述外包层的半径R4为62.5μm；

其中，所述相对折射率差均以所述外包层的折射率为基准。