[发明专利]一种可施加三维磁场的细胞培养皿

权利要求书

1.一种可施加三维磁场的细胞培养皿，包括培养皿（2），其特征是：培养皿（2）顶部设有培养皿盖（1），培养皿（2）固定设置在垂直磁场发生片（5）上，垂直磁场发生片（5）用于生成竖直方向的磁场，垂直磁场发生片（5）下方设有承片台（14），垂直磁场发生片（5）与承片台（14）之间活动连接，承片台（14）设置在底座上，承片台（14）两侧的底座上设有磁铁槽（21），磁铁槽（21）内设有电磁铁（20），电磁铁（20）用于生成水平方向的磁场。

2.根据权利要求1所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的垂直磁场发生片（5）底面上设有紧固杆（7），承片台（14）的中心上设有紧固杆固定孔（12），紧固杆（7）插入设置在紧固杆固定孔（12）中。

3.根据权利要求2所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的紧固杆（7）上设有螺纹段（8），紧固杆（7）的螺纹段（8）上设有螺帽（9），螺帽（9）设置在承片台（14）底面下方的紧固杆（7）上，所述的螺帽（9）外壁上设有防滑把手（10）。

4.根据权利要求2所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的垂直磁场发生片（5）侧壁上设有标记线（6），所述的承片台（14）侧壁上设有角方位标线（18）。

5.根据权利要求1所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的底座分为底座上层（27）和底座下层（30），底座上层（27）和底座下层（30）为两个截面直径不同的圆柱结构，且底座上层（27）的截面直径小于底座下层（30）的截面直径，所述的承片台（14）固定设置在底座上层（27）上；

所述的底座下层（30）顶面上设有内环形围栏（25）和外环形围栏（26），内环形围栏（25）和外环形围栏（26）通过围栏支撑杆（28）固定设置在底座下层（30）的顶面上，内环形围栏（25）和外环形围栏（26）上设有竖直的支撑板（23），支撑板（23）底部设有与内环形围栏（25）和外环形围栏（26）匹配的弧形卡口（35），支撑板（23）底部通过弧形卡口（35）咬合固定在内环形围栏（25）和外环形围栏（26）上；

所述的磁铁槽（21）设置在支撑板（23）顶部。

6.根据权利要求5所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的磁铁槽（21）为“U”形槽结构，电磁铁（20）固定设置在磁铁槽（21）内，磁铁槽（21）的内底面上设有凹槽（32），凹槽（32）内设有电磁铁导线（33），所述的磁铁槽（21）外侧壁下沿上设有刻度线（22）。

7.根据权利要求6所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的磁铁槽（21）侧壁上设有螺栓插槽（34），螺栓插槽（34）内设有水平向的紧固螺栓（31），紧固螺栓（31）的紧固端穿过螺栓插槽（34）伸入磁铁槽（21）内与电磁铁（20）接触，实现电磁铁（20）在磁铁槽（21）内的定位。

8.根据权利要求6所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的承片台（14）顶面上设有环形的滚珠槽（40），滚珠槽（40）内设有滚珠（13），滚珠（13）与垂直磁场发生片（5）底面接触。

9.根据权利要求5所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的培养皿（2）外壁上设有至少两个均匀分布的卡口插片（3），所述的承片台（14）两侧的底座上层（27）顶面上设有贴壁立柱（17），贴壁立柱（17）顶部设有与卡口插片（3）匹配的卡口（15）。

10.根据权利要求9所述的一种可施加三维磁场的细胞培养皿，其特征在于：所述的承片台（14）上设有至少一个第一导线孔（11），所述的底座上层（27）设有至少一个第二导线孔（24），所述的贴壁立柱（17）上设有斜穿线孔（16），所述的底座下层（30）侧壁上设有第三导线孔（29）。