[发明专利]一种中介高品质τf 有效
| 申请号： | 201810105008.2 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108059455B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 傅邱云;施浩;周东祥;郑志平;罗为 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中介 品质 base sub | ||
1.一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷，其特征在于，包括主晶相，所述主晶相的化学式为(ZrTi)1-x(Mg1/3Sb2/3)2xO4，其中，0.16≤x≤0.23，所述微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为-0.5 ppm/℃～+0.7 ppm/℃，所述微波介质陶瓷的品质因数为31700GHz～40200GHz。
2.如权利要求1所述的一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的介电常数为24.4～35.4。
3.如权利要求1或2所述的一种中介高品质Tf近零的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：
（1）将TiO2、(Mg1/3Sb2/3)O2和ZrO2按照化学式(ZrTi)1-x(Mg1/3Sb2/3)2xO4的配比混合，得到混合原料，其中，0.16≤x≤0.23；
（2）对混合原料依次进行第一次湿法球磨、第一次烘干、预烧、第二次湿法球磨和第二次烘干，得到第一混合料，其中，预烧温度为1000℃～1200℃，预烧时间为1 h～3 h；
（3）向第一混合料中加入粘结剂后采用粉末压片机进行压制，得到坯体，将坯体在1360℃～1400℃下烧结2h～4 h ，将烧结后的微波介质陶瓷在1000℃～1200℃下保温7h～9h，得到微波介质陶瓷。
4.如权利要求3所述的一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述粉末压片机成型压力为50 MPa～100MPa，所述粘结剂为质量分数为8%～12%的聚乙烯醇，所述粘结剂为第一混合料的质量的5%～6%。
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