[发明专利]膜构件和用于形成膜构件的方法有效

专利信息
申请号: 201810105212.4 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108383076B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: A·德厄 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;张鹏
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 构件 用于 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种膜构件(100、200、600、700、800、900、1000),包括:

膜结构(110),所述膜结构包括导电膜层(111),其中所述导电膜层(111)具有悬置区域(112)和膜区域(113),其中所述导电膜层(111)的悬置区域(112)布置在绝缘层(120)上,并且其中所述绝缘层(120)布置在承载基体(130)上;以及

对电极结构(140),其中在所述对电极结构(140)和所述导电膜层(111)的膜区域(113)之间垂直地布置有空腔(150);

其中,所述导电膜层(111)的边缘(114)以在所述导电膜层(111)和所述对电极结构(140)之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层(120)的边缘(121),并且其中在所述导电膜层(111)的膜区域(113)偏移时而施加在所述膜结构(110)上的90%以上的力被所述导电膜层(111)吸收。

2.根据权利要求1所述的膜构件,其中所述对电极结构(140)包括具有绝缘结构(310)的空隙(220),并且其中所述绝缘结构(310)的至少一部分布置在所述对电极结构(140)的所述空隙(220)的壁部(221)的至少一部分处。

3.根据权利要求2所述的膜构件,其中所述绝缘结构(310)的第二部分从所述对电极结构(140)的导电对电极层(141)垂直延伸到所述空腔(150)中。

4.根据权利要求2或3所述的膜构件,其中所述绝缘结构(310)的材料和所述绝缘层(120)的材料不同。

5.根据权利要求2或3所述的膜构件,其中所述空隙(220)将所述导电对电极层(141)分为第一部分和第二部分,并且其中所述第一部分和所述第二部分彼此电绝缘。

6.根据权利要求5所述的膜构件,其中所述导电对电极层(141)的所述第一部分与接触结构(250)连接,并且其中所述导电对电极层(141)的所述第二部分是电位自由的。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的膜构件,其中所述承载基体(130)具有空隙(230),并且其中所述绝缘层(120)横向地包围所述空隙(230)。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的膜构件,其中在所述导电膜层(111)的所述膜区域(113)的表面处布置有抗粘层。

9.根据权利要求8所述的膜构件,其中所述抗粘层是全氟癸基三氯硅烷(FDTS)层。

10.一种膜构件(300),包括:

膜结构(110),所述膜结构包括导电膜层(111),其中所述导电膜层(111)具有悬置区域(112)和膜区域(113),其中所述导电膜层(111)的悬置区域(112)布置在绝缘层(120)上,并且其中所述绝缘层(120)布置在承载基体(130)上;以及

对电极结构(140),其中所述对电极结构(140)包括空隙(220),并且其中在所述对电极结构(140)的导电对电极层(141)和所述导电膜层(111)的膜区域(113)之间垂直地布置有空腔(150);以及

所述对电极结构(140)的绝缘结构(310),其中所述绝缘结构(310)的第一部分布置在所述对电极结构(140)的所述空隙(220)的壁部(221)的至少一部分处,并且其中所述绝缘结构(310)的第二部分垂直延伸到所述空腔(150)中;

其中所述导电膜层(111)的边缘(114)以在所述导电膜层(111)和所述对电极结构(140)之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层(120)的边缘(121)。

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