[发明专利]用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构及其封装工艺

权利要求书

1.一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间还设有用于与两层重新布线层形成电学连接的微硅晶块，微硅晶块包括硅晶圆，在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化硅介电层并用金属导电柱填充通孔。

2.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：金属连接结构一端与介电层的平面平行，一端延伸出介电层，延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层。

3.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：微硅晶块的金属导电柱连接相邻两层介电层的对应金属触点。

4.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：完成组装后的多层重新布线层，一侧为塑封层，一侧为介电层，介电层的金属触点位置涂覆锡球。

5.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：包括两层重新布线层，从上至下依次设置塑封层、介电层、塑封层和介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构一端与介电层的平面平行，一端延伸出介电层，延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，两层介电层之间的塑封层内还设有将两层介电层对应金属触点进行连接的微硅晶块，微硅晶块包括硅晶圆，在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化硅介电层并用金属导电柱填充通孔，最下方的介电层底部金属触点上涂覆锡球。

6.根据权利要求1或5所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：塑封层中芯片或无源被动元件带有金属凸点的一侧朝向介电层，对应于介电层上延伸出介电层的金属触点完成连接。

7.根据权利要求1或5所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：芯片或无源被动元件包含至少一个伪管芯。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，其特征在于：所述介电层为无机介电层或有机介电层。

9.一种如权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构的封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1)在临时载片表面粘附临时键合胶层；

2)在步骤1)得到的临时键合胶层表面用薄膜工艺制作第一层的重新布线层，该重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构；

3)在第一层的重新布线层上制作微硅晶块，微硅晶块与重新布线层形成电学互联；

4)紧接着在第一层的重新布线层上贴附所需要封装的芯片和/或无源被动元件；

5)将贴附在载片第一层的重新布线层上的金属导电柱和芯片及无源被动元件进行整体塑封，形成第一层的塑封层，并减薄第一层的塑封层的厚度使金属导电柱露出；

6)在第一层的塑封层上面继续制作第二层的重新布线层，结构和方法与制作第一层的重新布线层相同，金属导电柱与第二层的重新布线层上对应的金属触点形成电学互联；

7)然后在第二层的重新布线层上贴附更多的无源被动元件；

8)将贴附在第二层的重新布线层上的元件进行塑封，形成第二层的塑封层；

9)采用激光或热剥离的办法将临时载片与其上的封装体分离，从而使封装体的第一层的重新布线层裸露出来；

10)在封装体的第一层的重新线层上采用植球工艺完成焊接；

11)进行切割得到单独的封装体。