[发明专利]一种UV减粘膜及其制备方法

说明书

本发明涉及保护膜技术领域，尤其是涉及一种UV减粘膜及其制备方法。所述UV减粘膜，包括依次贴合的基材层、UV减粘层和离型膜层，其中，所述UV减粘层是由所述UV减粘组合物涂布于基材层表面得到的，所述UV减粘组合物中包括抗静电剂；所述基材层的表面电阻率≤10¹¹Ω/□。所述UV减粘膜的制备方法，将UV减粘组合物涂布于基材层表面，预烘后在UV减粘组合物上贴合离型膜层，熟化，得到所述UV减粘膜。所述UV减粘膜在UV照射前具有优异的粘合力，在UV照射后粘合力大幅下降易于剥离，并且与具有抗静电作用的基材协同使用，具有优异的防静电作用。

技术领域

本发明涉及保护膜技术领域，尤其是涉及一种UV减粘膜及其制备方法。

背景技术

在半导体制作过程中，进行半导体晶圆切割、打磨时，为降低硅薄层缺陷密度，常常使用晶圆切割减粘保护膜。减粘保护膜是指在使用时粘合力强，而在后期剥离过程中，粘合力减弱以便剥离。

目前市场上的减粘保护膜多为UV减粘保护膜，是指在UV照射前具有高度粘合力，贴附性好，在UV照射后粘合力明显下降，易于剥离。国内市场上用于晶圆切割和捡取工艺等保护的UV减粘胶多以日本、中国台湾为主，国内UV减粘胶也有几家在研发推广，但性能尚未完全稳定。并且，UV减粘保护膜的基材在使用过程中由于摩擦作用很容易产生静电，在用于静电要求较高的电子零件领域的使用受到限制，比如容易吸附灰尘，然后转移到贴合的产品表面，或者静电电压过高，导致零件产生不良等。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种UV减粘膜，所述UV减粘膜在UV照射前具有优异的粘合力，在UV照射后粘合力大幅下降易于剥离，并且具有优异的防静电作用。

本发明的另一目的在于提供一种所述UV减粘膜的制备方法，所述制备方法操作工艺简单，可重复性好。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种UV减粘膜，包括依次贴合的基材层UV减粘层和离型膜层，其中，所述UV减粘层是由所述UV减粘组合物构成，所述UV减粘组合物中包括抗静电剂；所述基材层的表面电阻率≤10¹¹Ω/□。

本发明采用了具有抗静电作用的基材层和UV减粘层，双层协同作用，增强了所述UV减粘层的抗静电性能，并且所述UV减粘膜在UV照射前具有优异的粘合力，在UV照射后粘合力大幅下降易于剥离。

优选的，所述基材层包括抗静电PET薄膜、抗静电PO薄膜、抗静电PVC 薄膜中的任一种。更优选的，所述基材层的厚度为50-150μm，优选75-125 μm，更优选为100μm。

优选的，所述UV减粘层的厚度为10-30μm，优选为15-25μm，更优选为20μm。

优选的，所述离型膜层为PET离型膜层，更优选的，所述离型膜层的离型力为10-100gf，进一步优选的，所述离型膜层的厚度为20-50μm。

优选的，所述UV减粘组合物，主要由按重量百分比计的如下原料制成：

丙烯酸酯压敏胶树脂20％-50％、多官能度低聚物和/或多官能度单体 1％-30％、交联剂0.3％-2％、抗静电剂0.1％-5％、分散剂0-2％、流平剂0.2％-2％、光引发剂0.5％-5％和溶剂25％-60％。

本发明通过上述原料制备得到的UV减粘组合物，具有优异的粘合力， UV照射前具有高粘合力，剥离力高，UV照射后具有低粘合力，UV剥离力低，抗静电效果好。所述多官能度低聚物和/或多官能度单体经UV照射后自身产生交联反应，交联反应后产生较大体积收缩使所述UV减粘组合物与被粘合物体表面之间产生褶皱，褶皱大的位置产生微孔，使UV减粘组合物与被粘合物体表面之间接触面积减小，从而实现减粘作用。