[发明专利]一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法在审
| 申请号： | 201810105797.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108417817A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘江文;毛亚雄;颜亮;胡仁宗;杨黎春;刘军;朱敏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/04 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 循环稳定性 负极 复合薄膜 合金靶材 薄膜 热处理 靶材原料 原子比 磁控溅射工艺 热处理工艺 参数稳定 成分配比 可重复性 应力应变 有效缓解 元素分布 整体工艺 制备过程 对设备 中合金 靶材 耗能 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔作为集流体粘贴在基板上，再将Si1-xMx合金靶材安装在靶位上，然后抽真空、通入高纯Ar，开始进行磁控溅射；
(2)溅射结束后，将镀在Cu的Si1-xMx复合薄膜箔取下，置于真空干燥箱中进行热处理；热处理结束后，冷至室温，得到所述具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Si1-xMx合金靶材中，M为非活性金属，包括Ti、Mo或Cu；x为M的原子占比，x＝0.10～0.30。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Cu箔与Si1-xMx合金靶材的距离为10～12cm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述抽真空是抽真空至8×10-4Pa～2×10-4Pa；所述通入高纯Ar是通入高纯Ar至气压为0.5Pa～0.8Pa。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磁控溅射的射频电源的功率为100～150W，溅射的时间为30～50min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述热处理的温度为120～200℃，时间为6～48h。
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