[发明专利]半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法在审

专利信息
申请号: 201810105995.6 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108461474A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: E.迈尔斯;V.维瓦雷斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;申屠伟进
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 管芯 绝缘体 主面 半导体器件 传导柱 侧面 侧面连接 电耦合 制作 暴露
【说明书】:

发明涉及半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法。一种半导体器件可包括:管芯,所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面,所述侧面连接第一主面和第二主面;至少一个传导柱,所述至少一个传导柱布置在所述管芯的第一主面上并且电耦合到所述管芯;以及绝缘体,所述绝缘体布置在所述管芯的第一主面上,所述绝缘体包括上主面和侧面,其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上,并且其中所述管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。

技术领域

本公开内容涉及到一种半导体器件、一种用于制作半导体器件的方法和一种用于加强半导体器件中的管芯的方法。

背景技术

半导体器件制造商不断努力改进其产品的性能,例如不断努力减小电阻或改进散热特性。改进性能可能包括减小类似例如半导体管芯的半导体器件的尺寸。这转而可能引起处置(handling)问题,因为较小的产品可能不太耐用。此外,可能更难以将较小的半导体器件电连接到例如电路板。可能期望将半导体器件的改进的性能与良好的耐用性以及容易处置相组合。

发明内容

多个方面涉及一种半导体器件,该半导体器件包括:管芯,该管芯包括第一主面、第二主面和侧面,所述侧面连接第一主面和第二主面;至少一个传导柱,所述至少一个传导柱布置在该管芯的第一主面上并且电耦合到该管芯;以及绝缘体,所述绝缘体布置在该管芯的第一主面上,所述绝缘体包括上主面和侧面,其中所述至少一个传导柱被暴露在该绝缘体的上主面上,并且其中该管芯的侧面和该绝缘体的侧面是共面的。

多个方面涉及一种制作半导体器件的方法,该方法包括:提供包括第一主面、第二主面以及侧面的管芯,所述侧面连接第一主面和第二主面;在该管芯的第一主面上布置至少一个传导柱,并且将所述至少一个传导柱电耦合到该管芯;以及在该管芯的第一主面上布置绝缘体,该绝缘体包括上主面和侧面,其中该管芯的侧面和该绝缘体的侧面是共面的。

多个方面涉及一种使用绝缘体来加强半导体器件中的管芯的方法,其中该管芯包括第一主面、第二主面以及侧面,所述侧面连接第一主面和第二主面,其中至少一个传导柱布置在该管芯的第一主面上并且电耦合到该管芯,其中所述绝缘体包括上主面和侧面,其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上,并且其中该管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。

附图说明

附图图解说明了实例并且与描述一起用于解释本公开内容的原理。本公开内容的其他实例和许多预期的优点将容易被领会到,因为通过参考以下详细描述,本公开内容的这些其他实例和许多预期的优点变得更好理解。附图的要素不一定相对于彼此成比例。相似的参考数字指定相对应的类似部分。

图1示出了根据本公开内容的半导体器件的示意性侧视图。

图2示出了根据本公开内容的包括布置在衬底上的半导体器件的装置的示意性侧视图。

图3A至图3I示出了在根据用于制作半导体器件的方法的实例的各种制作阶段中的半导体器件的示意性侧视图。

图4A至图4H示出了在根据用于制作半导体器件的方法的另一实例的各种制作阶段中的半导体器件的示意性侧视图。

图5示出了根据本公开内容的用于制作半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式

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