[发明专利]SONOS闪存的干扰性测试方法

权利要求书

1.一种SONOS闪存的干扰性测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一需要进行干扰性测试的SONOS闪存，调节设定干扰性劣化参数；

所述干扰性劣化参数包括：正电压，负电压，参考电压和位线电压；

所述干扰性劣化参数对应的电压都是通过所述SONOS闪存的电压泵提供；

所述干扰性劣化参数对应的电压大小通过程序设定对相应的所述电压泵进行自动控制得到；所述干扰性劣化参数的调节范围要求保证使目标存储单元不被击穿；

所述干扰性劣化参数要求保证步骤二中连续操作时间在30秒以内就能实现将具有干扰性问题的邻近存储单元筛选出来；

步骤二、按照所设定的干扰性劣化参数对所述SONOS闪存的目标存储单元进行连续操作，该连续操作会对和所述目标存储单元相邻的邻近存储单元产生干扰，且通过所述干扰性劣化参数加深对所述邻近存储单元的干扰并缩小完成对所述邻近存储单元的干扰所需的所述连续操作的时间；步骤三、对所述邻近存储单元进行阈值电压测试并筛选出阈值电压超范围的所述邻近存储单元。

2.如权利要求1所述的SONOS闪存的干扰性测试方法，其特征在于：步骤一中的所述SONOS闪存的存储阵列呈NOR型结构。

3.如权利要求1所述的SONOS闪存的干扰性测试方法，其特征在于：步骤二中的所述连续操作为连续写；或者，步骤二中的所述连续操作为连续读；或者，步骤二中的所述连续操作为连续擦除。

4.如权利要求1所述的SONOS闪存的干扰性测试方法，其特征在于：步骤二中的所述邻近存储单元为和所述目标存储单元行相邻或列相邻的存储单元。

5.如权利要求1所述的SONOS闪存的干扰性测试方法，其特征在于：所述SONOS闪存的存储单元的特征尺寸为95nm。