[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置,其特征在于，

包括：

半导体基板；

上方主电极，其配置在所述半导体基板的上方；

感测阳极电极，其配置在所述半导体基板的上方；

第一电阻层，其配置在所述半导体基板的上方，具有大于所述上方主电极和所述感测阳极电极的电阻率，并连接所述上方主电极和所述感测阳极电极；以及

下方主电极，其配置在所述半导体基板的下方，

所述半导体基板包括开关元件和感测二极管，

所述开关元件连接在所述上方主电极和所述下方主电极之间，

所述感测二极管包括：p型的第一阳极区域，其与所述感测阳极电极连接；以及n型的第一阴极区域，其与所述下方主电极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件包括与上方主电极连接的p型的体区，

所述半导体基板包括将所述体区与所述第一阳极区域分隔开的n型的分隔区域，

所述第一电阻层的电阻率小于所述分隔区域的电阻率。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电阻层覆盖所述上方主电极的上表面的一部分和所述感测阳极电极的上表面的一部分。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述上方主电极覆盖所述第一电阻层的上表面的一部分，

所述感测阳极电极覆盖所述第一电阻层的上表面的一部分。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电阻层由多晶硅构成。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

还包括第二电阻层，其配置在所述半导体基板的上方，并具有大于所述感测阳极电极的电阻率，

所述第一阳极区域经由所述第二电阻层与所述感测阳极电极连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述感测阳极电极包括与导线接合的接合焊盘，

所述第二电阻层包括：第一部分，其在所述接合焊盘的下方与所述感测阳极电极连接；以及第二部分，其从所述第一部分延伸至所述接合焊盘的外侧，

所述第一阳极区域不配置在所述接合焊盘的下方，而是经由所述第二部分与所述感测阳极电极连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第二电阻层由多晶硅构成。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

还包括布线层，其配置在所述半导体基板的上方，具有小于所述第二电阻层的电阻率，并与所述第一阳极区域接触，

所述第一阳极区域经由所述布线层与所述第二电阻层连接。

10.根据权利要求6至8中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一阳极区域与所述第二电阻层接触。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第二电阻层由多晶硅构成。

12.根据权利要求6至11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板包括n型的漂移区域，所述n型的漂移区域配置在所述第一阳极区域和所述第一阴极区域之间，并且其n型杂质浓度低于所述第一阴极区域，

所述第二电阻层的电阻率大于所述漂移区域的电阻率。

13.根据权利要求1至12中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板还包括续流二极管，

所述续流二极管包括：p型的第二阳极区域，其与所述上方主电极连接；以及n型的第二阴极区域，其与所述下方主电极连接。