[发明专利]共聚焦显微系统中针孔轴向位置的调节方法有效
| 申请号： | 201810107661.2 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108387562B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 丁晨良;魏劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚焦 显微 系统 针孔 轴向 位置 调节 方法 | ||
1.一种共聚焦显微系统中针孔位置的透射探测式调节方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
a)在盖玻片上用磁控溅射的方法镀上一层相变薄膜材料；
b)将该盖玻片置于样品台上，利用一束功率密度小于5×109W/m2的平行光经过物镜聚焦照射该盖玻片；
c)沿着入射光方向移动样品台，使盖玻片经过入射光焦点；
d)通过探测器测量盖玻片透射光的光强信号，根据光强信号的极值判断焦点位置：
当相变薄膜材料为饱和吸收材料时，选取光强信号曲线上的最大值作为焦点位置；
当相变薄膜材料为反饱和吸收材料时，选取光强信号曲线上的最小值作为焦点位置；
e)将盖玻片移动到焦点位置，此时调节光路反射探测模块中的针孔轴向位置，使针孔后方探测器接收到的光强最大，此时的针孔位置就是共聚焦系统要求的共轭位置。
2.根据权利要求1所述的一种共聚焦显微系统中针孔位置的透射探测式调节方法，其特征在于，所述的步骤a)中的相变材料是Sb、Te、Sb2Te3、Sb70Te30、InSb、Ge2Sb2Te5或AgInSbTe。
3.根据权利要求1所述的一种共聚焦显微系统中针孔位置的透射探测式调节方法，其特征在于，所述的步骤a)中的相变材料的厚度在10到100nm之间。
4.根据权利要求1所述的一种共聚焦显微系统中针孔位置的透射探测式调节方法，其特征在于，所述的步骤b)中的平行光波长为405nm。
5.一种共聚焦显微系统针孔位置的反射探测式调节方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
a)在盖玻片上用磁控溅射的方法镀上一层相变薄膜材料；
b)将该盖玻片置于样品台上，利用一束功率密度小于5×109W/m2的平行光经过物镜聚焦照射该盖玻片；
c)沿着入射光方向移动样品台，使盖玻片经过入射光焦点；
d)通过探测器测量盖玻片反射光的光强信号，选取光强信号曲线上的最大值附近凹口的最低点作为焦点位置；
e)将盖玻片移动到焦点位置，此时调节光路反射探测模块中的针孔轴向位置，使针孔后方探测器接收到的光强最大，此时的针孔位置就是共聚焦系统要求的共轭位置。
6.根据权利要求5所述的一种共聚焦显微系统针孔位置的反射探测式调节方法，其特征在于，所述的步骤a)中的相变薄膜材料是Sb、Te、Sb2Te3、Sb70Te30、InSb、Ge2Sb2Te5、或AgInSbTe。
7.根据权利要求5所述的一种共聚焦显微系统针孔位置的反射探测式调节方法，其特征在于，所述的步骤a)中的相变材料的厚度在10到100nm之间。
8.根据权利要求5所述的一种共聚焦显微系统针孔位置的反射探测式调节方法，其特征在于，所述的步骤b)中的平行光波长为405nm。
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