[发明专利]一种可逆相变材料高密度存储装置有效
申请号: | 201810108166.3 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN108320758B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 原续鹏;阮昊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G11B7/243 | 分类号: | G11B7/243;G11B7/127;G11B7/1372;G11B7/128 |
代理公司: | 31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超分辨 高密度存储装置 可逆相变材料 相变材料 光生成组件 光记录 双光束 光盘存储容量 半导体合金 发光离子 光盘组件 合适波长 记录信息 可逆变化 可逆变换 衍射极限 中心光强 反射率 非晶相 激发光 记录层 折射率 荧光 读写 受限 衍射 读出 掺杂 激光 诱导 光盘 激发 记录 | ||
1.一种可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:包括:
激发光生成组件,用于引发相变材料光记录;
抑制光生成组件,用于抑制相变材料光记录;
二相色透镜,用于反射激发光透射抑制光;
光盘组件,用于实现光盘相变材料上的超分辨写入和读出;
所述激发光生成组件包括第一激光光源,以及沿第一激光光源传输方向依次放置的第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、第一二分之一波片和反射镜;所述抑制光生成组件包括第二激光光源,以及沿第二激光光源传输方向依次放置的第三聚焦透镜、第四聚焦透镜、第二二分之一波片、涡旋相位板、锥棱镜和第五聚焦透镜;所述光盘组件包括偏振分束片、四分之一波片、物镜、光盘、第六聚焦透镜和CCD;
所述的第一激光光源的输出光依次经第一聚焦透镜、第二聚焦透镜和第一二分之一波片后,入射到所述的反射镜,经该反射镜反射;所述的第二激光光源的输出光依次经第三聚焦透镜、第四聚焦透镜、第二二分之一波片、涡旋相位板和锥棱镜后,入射到所述的第五聚焦透镜,经该第五聚焦透镜透射的透射光与经反射镜反射的反射光合束后,入射到所述的偏振分束片,经该偏振分束片透射后,依次经所述的四分之一波片和物镜后,入射到所述的光盘,经该光盘反射,原路返回依次经物镜和四分之一波片后入射到所述的偏振分束片,经该偏振分束片反射后经第六聚焦透镜被所述的CCD接收。
2.根据权利要求1所述的可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:所述第一激光光源用于生成平行激发光,所述第一聚焦透镜和第二聚焦透镜用于激光扩束;所述第一二分之一波片用于将所述平行光处理为第一线偏振光;所述反射镜用于改变光束的传输方向。
3.根据权利要求1所述的可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:所述第二激光光源用于生成抑制光,所述第三聚焦透镜和第四聚焦透镜用于激光扩束;所述第二二分之一波片用于将所述抑制光处理为第二线偏振光;所述涡旋相位板将抑制光处理为中心光强为零的空心涡旋光;所述锥棱镜用于产生贝塞尔光束;所述第五聚焦透镜用于对所述贝塞尔光束进行准直。
4.根据权利要求1所述的可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:所述光盘包括依次连接的盘基、第一介电层、记录层、第二介电层、反射层以及保护层;所述的盘基是由透光性较好的聚碳酸酯构成,对光盘工作波长的激光透过率要达到90%以上,两个介电层是由ZnS-SiO2构成,起到保护记录层、控制记录层灵敏度和反射率变化以及控制冷却速率作用;所述的记录层用的光存储材料为可逆相变Ge-Sb-Te存储材料;所述的反射层由铝合金构成,用来反射光信号;保护层由紫外光固化剂构成,起到对光盘的保护作用。
5.根据权利要求4所述的可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:所述记录层用的可逆相变材料初始态是晶态,激发光的作用是引起材料的相变,即从晶态转变为非晶态;而抑制光的作用是利用长的热效应,即相变材料达到溶化态后无法立即冷却,最终依然为晶态,使记录过程不能发生。
6.根据权利要求5所述的可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:所述记录层用的可逆相变材料中掺杂了发光离子镍(Ni2+)或者铋(Bi+),不同的掺杂离子有不同的荧光效应,其对应的荧光强度和可逆相变材料的晶化程度有关,利用双光束超分辨技术可以实现数据的读出。
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