[发明专利]一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法有效
| 申请号： | 201810108278.9 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108303567B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郭小伟;李绍荣;张孔欣;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 质量 mems 电容 分式 加速度计 制备 方法 | ||
1.一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）、在玻璃衬底的顶面开槽，用于水平轴向加速度计；
2）、在玻璃衬底的顶面沉积金属，用于水平和垂直的加速度计的金属接触；
3）、SOI硅片从上到下依次包括器件层、埋氧层和操作层，刻蚀SOI硅片的器件层；
4）、进一步刻蚀器件层，形成垂直以及水平加速度计的检测质量；
5）、将SOI硅片和玻璃衬底键合连接；
6）、减薄SOI硅片操作层的厚度；
7）、在SOI硅片的操作层上沉积金属，用于垂直轴加速度计的电极接触；
8）、掩膜刻蚀SOI硅片的操作层，形成垂直轴加速度计的穿孔顶部电极；
9）、刻蚀去掉SOI硅片中的埋氧层；
10）、制得三轴加速度计；
步骤5）中，采用阳极键合的方式将SOI硅片的器件层和玻璃衬底上的金属相连。
2.根据权利要求1所述的一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法，其特征在于，步骤1）中，采用HF溶液湿法刻蚀玻璃衬底。
3.根据权利要求1所述的一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法，其特征在于，步骤9）中，通过BHF刻蚀SOI硅片部分埋氧层，形成垂直和水平方向的平板电容。
4.根据权利要求1所述的一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法，其特征在于，三轴加速度计中的水平加速度计和水平轴向加速度计位于垂直加速度计两边，成一字型排开。
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