[发明专利]一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法有效
| 申请号： | 201810109017.9 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108447976B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王美涵;王新宇 | 申请（专利权）人： | 沈阳大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 沈阳技联专利代理有限公司 21205 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 110044 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调控 型碲化铋 薄膜 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法，其特征在于，所述方法包括以下过程：
第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材，采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜；
第二步以商用Sn为原料，采用蒸发技术，在n型Bi2Te3的表面镀上Sn薄膜；
第三步采用保护气退火炉对镀Sn薄膜后的n型Bi2Te3薄膜在高温下退火后，随炉冷却；
上述第一步薄膜制备过程中：加热基底的温度为573K~623 K；商用Bi2Te3靶和Te靶的纯度均为99.99wt%；Bi2Te3靶和Te靶为圆型靶或矩形靶；Bi2Te3靶和Te靶分别使用独立的溅射电源，Bi2Te3靶采用直流或射频电源，Te靶采用射频或直流电源，Bi2Te3靶和Te靶以共溅射形式同时工作；加热基底为玻璃片或硅片；n型Bi2Te3薄膜厚度为760nm；
上述第二步薄膜制备过程中：蒸发为电子束蒸发或热蒸发或激光蒸发；商用Sn的纯度为99.99wt%；蒸发的Sn薄膜厚度为1nm~15nm；
上述第三步退火过程中：保护气为95%氩气+5%氢气或纯氩气；退火温度为573 K；保护气气压大于大气压；退火时间为0.5h~2h。
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