[发明专利]一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管，从下到上依次包括ITO透明导电玻璃基片阳极基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、界面修饰层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，所述界面修饰层为IPFB。

2.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层厚度为40~50 nm，钙钛矿发光层厚度为50~60 nm ，界面修饰层厚度为10~15 nm，电子传输层厚度为45~55 nm，电子注入层厚度为1~2 nm，阴极层厚度为100~110 nm。

3.根据权利1或2所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将ITO透明导电玻璃基片作为阳极基底进行标准化清洗后烘干；

（2）将ITO透明导电玻璃基片放于紫外灯下照射，然后将PEDOT:PSS旋涂在ITO上，制备得到空穴传输层；

（3）制备并旋涂钙钛矿前驱溶液，制备得到钙钛矿发光层；

（4）退火后旋涂IPFB溶液，将制好的片子置于真空腔内，抽真空后形成界面修饰层；

（5）在步骤（4）的IPFB界面修饰层上真空蒸镀TPBi，形成电子传输层；

（6）在步骤（5）的电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al，形成电子注入层和阴极层，即得钙钛矿发光二极管器件。

4.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）的具体实施方法为：

将ITO透明导电玻璃基片先在去离子水中冲洗，接着用去离子水、丙酮、乙醇擦洗，然后用超声仪分别在离子水、丙酮、乙醇中超声10 min，最后在洁净的环境下烘烤至完全去除水分。

5.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）的具体制备方法为：

将ITO透明导电玻璃基片放于紫外灯下照射10 min，然后将PEDOT:PSS旋涂在ITO上，旋涂转速条件为3000 r/60 s，再在120℃下干燥30 min，放入手套箱中。

6.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）的具体制备方法为：

首先将CH₃NH₃Br和PbBr₂以2：1的摩尔比溶于DMF中，60℃搅拌2 h，制成5 wt%的钙钛矿前驱溶液，旋涂钙钛矿前驱溶液，旋涂转速条件为3000 r/60 s。

7.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）的具体制备方法为：

IPFB溶于氯苯溶液，60℃搅拌2 h，制成10 mg/ml的IPFB溶液；在60℃退火1 min后旋涂IPFB溶液，停留40 s后旋涂，旋涂转速条件为3000 r/45 s，60℃退火40 min，钝化钙钛矿膜层，将制好的片子置于真空腔内，抽真空至4.0*10^-4 Pa。

8.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中，蒸镀速率为1Å/s。

9.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）中，LiF和Al的蒸镀速率分别为0.2 Å/s和1 Å/s。