[发明专利]可调带内噪声消除环路电路有效

专利信息
申请号: 201810109421.6 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108336974B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 李泉;王小松;刘昱 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 可调 噪声 消除 环路 电路
【权利要求书】:

1.一种可调带内噪声消除环路电路,用于直流耦合型神经记录斩波放大器,包括:

高通跨导单元,其正、负输入端分别与积分器的正、负输出端相连,所述高通跨导单元的正、负输出端分别与第二级的跨导放大器Gm2的负、正输入端相连;

其中,所述高通跨导单元的正、负输入端还分别连接斩波开关,并通过电容Chp分别与第一级跨导放大器Gm1的负、正输入端相连;所述高通跨导单元的正、负输出端还分别通过斩波开关,与第一级跨导放大器的正、负输出端相连,形成噪声消除环路;

其中,所述高通跨导单元包括:

PMOS共源共栅跨导单元,所述PMOS共源共栅跨导单元将输入交流电压转换成电流反馈到放大器;

可调电流源单元,通过开关控制电流源大小改变跨导单元的跨导,调整噪声的消除幅度;

可调亚阈值偏置电阻单元,通过开关控制电流镜偏压改变偏置阻值,调整噪声的消除带宽。

2.根据权利要求1所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,

所述PMOS共源共栅跨导单元连接到输入端,包括两对PMOS管,其中PM1和PM2管源极相连构成共源管;PM3和PM4的源极分别连接到所述共源管的漏极构成共栅管。

3.根据权利要求2所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,PM1和PM2的栅极通过电容C1与输入相连。

4.根据权利要求2所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,PM1和PM2增大尺寸以降低引入的1/f噪声,PM3和PM4提高跨导单元的输出阻抗,其栅极连接到偏置电压Vb1。

5.根据权利要求1所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,

可调电流源单元连接到PM1和PM2的源极,包括PMOS阵列和开关阵列,作为跨导单元的可调尾电流源。

6.根据权利要求5所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,PMOS阵列包括并联的PMOS管MS1~MSn,其漏极连接到PM1和PM2的源极,源极连接到电源VDD,栅极连接两路开关,一路开关连接到电源VDD,另一路连接到偏置电压VB。

7.根据权利要求6所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,

可调亚阈值偏置电阻单元连接到PM1和PM2的栅极,包括电流镜和开关NMOS阵列。

8.根据权利要求7所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,

可调亚阈值偏置电阻单元中包括电流镜Mr1、Mr2及Mr3,所述电流镜Mr1、Mr2及Mr3的栅极相连,Mr1的栅极与漏极相连,电流源使得Mr1、Mr2及Mr3偏置在亚阈值区,Mr2和Mr3的漏极分别连接到PM1和PM2的栅极;开关NMOS阵列由NMOS管M1~Mn和开关构成,M1~Mn各自的栅极和漏极相连,分别通过开关并联到Mr1的栅极;电流镜Mr1、Mr2及Mr3、开关NMOS阵列M1~Mn的源极与参考源Vref相连。

9.根据权利要求8所述的可调带内噪声消除环路电路,其中,

所述电源VDD为芯片电源电压,PMOS管MS1~MSn连接的偏置电压VB、开关NMOS阵列M1~Mn连接的参考源Vref及共栅管连接的偏置电压Vb1由偏置电路提供,保证尾电流源管、共源管及共栅管工作在饱和区。

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