[发明专利]一种紫外LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种紫外LED芯片的制作方法，其特征在于，其包括：

在衬底上依次外延生长u-GaN层或者u-AlGaN层、n-AlGaN层、多量子阱层以及p-AlGaN层；

通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的所述p-AlGaN层、所述多量子阱和部分的n-AlGaN，露出n-AlGaN层表面，形成n接触孔；

生长一层生长阻挡层，且光刻腐蚀所述n接触孔上的所述生长阻挡层，露出所述n-AlGaN层表面；

在所述n-AlGaN层表面采用MOCVD方法生长薄层的高掺n-GaN或者n-InGaN，且腐蚀去除所述生长阻挡层；

在所述p-AlGaN层的表面制作一层p型欧姆接触金属层，且进行退火，所述p型欧姆接触金属层的金属既是欧姆接触层金属也是反射镜层金属；

在所述p型欧姆接触金属层的表面制备一层能够将所述p型欧姆接触金属层包覆在其内部的金属阻挡层；

通过剥离的方法在所述n接触孔表面蒸镀n型欧姆接触金属层，并退火；

在所述金属阻挡层与所述n型欧姆接触金属层之间的侧壁制备一层第一绝缘层，在所述绝缘层上光刻出接触区域，并腐蚀去除所述接触区域的所述第一绝缘层，且利用去除了所述第一绝缘层的接触区域制备倒装结构紫外LED芯片或倒装薄膜结构紫外LED芯片。

2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

所述衬底为半导体器件衬底，且所述半导体器件衬底选自蓝宝石衬底、AlN衬底、Si衬底，SiC衬底以及GaN衬底中的任一种。

3.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

所述生长阻挡层选自氧化硅阻挡层、氮化硅阻挡层以及氮氧化硅阻挡层的一种或多种，且生长所述生长阻挡层的方法为ALD、PECVD、LPCVD、磁控溅射的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

在所述n-AlGaN层表面采用MOCVD方法生长薄层的高掺n-GaN或者n-InGaN的步骤中，所述n-GaN或者n-InGaN的厚度为1～100nm，生长温度为700～1050℃，掺杂浓度为5.0x10¹⁷～2.1x10²⁰cm^-3。

5.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

腐蚀去除所述生长阻挡层的方法选自湿法化学腐蚀、干法ICP刻蚀以及RIE刻蚀中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

所述p型欧姆接触金属层采用镍、银、铝、金、铂、钯、镁以及钨金属中的一种、几种组合或者是它们的合金制成，且所述p型欧姆接触金属层的退火温度为450～600℃，退火时间为60～300s。

7.根据权利要求6所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

所述金属阻挡层采用镍、金、钛、铂、钯以及钨金属中的一种或几种或它们的合金制成。

8.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于：

所述n型欧姆接触金属层采用钛、铝、镍、金、镉以及锆中的一种或者几种金属合金制成；所述n型欧姆接触金属层的退火温度为25～300℃，退火时间为20～180s。