[发明专利]基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子在审
| 申请号： | 201810111080.6 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108063028A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;李传扬;林川杰;李琦;张波 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01B17/40 | 分类号： | H01B17/40 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘立春 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电荷 调控 自适应 消散 新型 绝缘子 | ||
1.一种基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子,包括绝缘区(1)、自适应消散区(2)，所述绝缘区(1)位于所述自适应消散区(2)的底端，其特征在于，所述绝缘区(1)、自适应消散区(2)的浇注材料中均掺杂微米级碳化硅颗粒。
2.根据权利要求1中所述的基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子，其特征在于，所述绝缘区(1)、自适应消散区(2)整体的垂直截面呈碗形结构。
3.根据权利要求1中所述的基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子，其特征在于，所述绝缘区(1)、自适应消散区(2)为依次浇注成型的整体结构。
4.根据权利要求1中所述的基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子，其特征在于，所述绝缘区(1)为环氧树脂、氧化铝、碳化硅混合浇注而成。
5.根据权利要求1中所述的基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子，其特征在于，所述自适应消散区(2)为环氧树脂、氧化铝、碳化硅混合浇注而成。
6.根据权利要求1中所述的基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子，其特征在于，
所述绝缘去(1)所使用的碳化硅微粒质量分数与氧化铝的质量分数比为15：100；
所述自适应消散区(2)所使用的碳化硅微粒质量分数与氧化铝的质量分数比为25：100；
所述环氧树脂、填充料和固化剂三者质量比为：100:330：38。
7.根据权利要求1中所述的一种基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子，其特征在于，所述新型盆式绝缘子，其应用不仅局限于中高压及特高压GIS，同时也包括气体绝缘输电管道(GIL)中的盆式绝缘子。
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