[发明专利]高产能薄膜沉积装置及薄膜批量化生产方法在审

专利信息
申请号: 201810111868.7 申请日: 2018-02-05
公开(公告)号: CN108149214A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 熊旭明;王延凯;陈慧娟;蔡渊 申请(专利权)人: 苏州新材料研究所有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215125 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 沉积腔 基带 产品带 真空锁 带卷 卷盘 盘腔 薄膜沉积装置 走带系统 沉积源 批量化 带材 薄膜 高产 抽真空装置 高真空密封 镀膜技术 静止状态 原始基带 真空装置 装置准备 作业环境 产能 沉积 镀膜 放卷 收卷 生产成本 穿过 生产
【说明书】:

一种工业镀膜技术领域的高产能薄膜沉积装置及薄膜批量化生产方法,包括:至少一个具有沉积源的沉积腔,其内设有沉积源;原始带卷盘腔,其内设有与走带系统相连的原始基带盘,且通过第一基带真空锁与沉积腔相连;以及产品带卷盘腔,其内设有与走带系统相连的产品基带盘,且通过第二基带真空锁与沉积腔相连;所述原始带卷盘腔、沉积腔和产品带卷盘腔均连接有抽真空装置和去真空装置,所述第一及第二基带真空锁在有带材从中穿过且带材处于静止状态的情况下对原始带卷盘腔、沉积腔和产品带卷盘腔进行高真空密封。本发明对放卷、镀膜和收卷的作业环境进行分离,减少沉积前装置准备工作所需的时间,提高产品质量和产能,降低能耗和生产成本。

技术领域

本发明涉及的是一种工业镀膜领域的技术,具体是一种高产能薄膜沉积装置及薄膜批量化生产方法。

背景技术

离子源越来愈多地应用于薄膜沉积工业,这是因为离子源的使用可以极大地提高产品质量和性能。例如Low-E薄膜,其功能层银膜耐环境腐蚀的性能较差,因而只能密封于双层玻璃中使用;但市场上越来越多地产生了对单层玻璃Low-E薄膜的需要,在这样的产品中,Low-E薄膜直接暴露在外界环境中,对其耐环境腐蚀的性能提出了很高的要求,另外单层玻璃Low-E薄膜直接面对生产和使用中的各种操作,对薄膜的耐机械损伤也提出了很高的要求。采用离子溅射或离子束辅助沉积的方法可以让薄膜获得较高的致密度从而解决上述问题。

目前带状基材的表面沉积镀膜采用卷对卷工艺,将绕卷设备与镀膜设备置于同一个真空环境中,通过放卷、镀膜和收卷得到备用的成品。由于绕卷设备和镀膜设备均在同一个真空室内,所以每次更换待镀工件均需要破真空,使得装置准备工作所需的时间大大增加。装置准备工作包括1)沉积腔的清理,2)高真空度的获得,3)各种杂质气体减少到最低允许阈值,进行预溅射以获得各个沉积参数的设定值,并使得装置各个参数的漂移率减少到允许值。沉积前装置准备工作质量的好坏是产品质量控制的关键,直接影响带状基材的长带均匀性和每次沉积作业的重复性。因而目前的设备和工艺不仅增加了抽真空时间和抽真空量,增加了能耗,而且降低了生产效率,提高了产品质量把控的难度,大大增加了成本。

发明内容

本发明针对现有技术存在的上述不足,提出了一种高产能薄膜沉积装置及薄膜批量化生产方法,对放卷、镀膜和收卷的作业环境进行分离,减少沉积前装置准备工作所需的时间,提高产品质量和产能,降低能耗和生产成本。

本发明是通过以下技术方案实现的:

本发明涉及一种高产能薄膜沉积装置,包括:

沉积腔,数量不少于1个,其中至少一个设有沉积源;

原始带卷盘腔,其内设有与走带系统相连的原始基带盘,且通过第一基带真空锁与沉积腔相连;

以及产品带卷盘腔,其内设有与走带系统相连的产品基带盘,且通过第二基带真空锁与沉积腔相连;

所述原始带卷盘腔、沉积腔和产品带卷盘腔均连接有抽真空装置和去真空装置,所述第一及第二基带真空锁在有带材从中穿过且带材处于静止状态的情况下对原始带卷盘腔、沉积腔和产品带卷盘腔进行高真空密封。

所述第一及第二基带真空锁均由阀体和活塞构成,阀体内设有活塞腔体,活塞可活动的设置于活塞腔体内并在底部固定有真空密封套,真空密封套底部和阀体之间设有基带通道,真空密封套通过活塞压于带材上进行高真空密封。

优选地,所述第一及第二基带真空锁在进行高真空密封时,漏气率小于10-5Torr.l/s。

所述沉积腔连接有第一高真空泵,所述第一高真空泵经管路连接至第一粗抽真空泵,所述第一高真空泵和第一粗抽真空泵之间设有第一粗抽阀。

优选地,所述原始带卷盘腔和产品带卷盘腔可与沉积腔共用第一粗抽真空泵;

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