[发明专利]一种电磁屏蔽片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种电磁屏蔽片及其制备方法。电磁屏蔽片的制备方法包括以下步骤：S1，在500～600℃范围内、保护气氛下热处理纳米晶带材；S2，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于各层纳米晶带材层间以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的表面贴覆一双面胶或者覆盖膜；S3，纵向剪切处理；S4，横向剪切处理；S5，将步骤S4处理后的多层纳米晶带材的最上表面和最下表面的双面胶自带的离型膜层或者覆盖膜自带的粘性膜层去掉，重新覆上一层新的离型膜层或者粘性膜层。本发明的制备方法能够批量连续化生产，且制得的电磁屏蔽片可同时应用于无线充电和NFC通信场景中，应用于无线充电时转化效率也较高。

【技术领域】

本发明涉及一种电磁屏蔽片及其制备方法，特别是涉及一种可同时满足无线充电和NFC天线导磁屏蔽应用的电磁屏蔽片的制备方法。

【背景技术】

随着移动数码电子产品的发展，特别是手机产品中集成的功能越来越多，包括无线充电技术、近场通讯NFC技术等，越来越被人们接受并广泛使用。针对不同频率下使用的不同功能，对屏蔽片的要求越来越高。很难有一种屏蔽片同时满足不同频段应用的需求，同时满足无线充电、近场通讯(NFC)等功能。

在无线充电模块中，屏蔽片的功能包括两方面，一方面是为电磁感应的线圈耦合提供高磁导率的通道，提高充电效率；另一方面是保证感应线圈的交变磁场带来的磁力线，对其他电子部件不产生干扰，起到屏蔽作用，避免漏磁。现有应用于无线充电的屏蔽片，其磁导率不高，充电转化率不高。

在近场通讯应用中，要求屏蔽材料在13.56MHz频率附近具有高的磁导率，从而保证通讯读卡距离。目前，对于近场通讯应用提供的屏蔽材料主要是铁氧体材料，但目前铁氧体材料的厚度一般在80um以上，无法满足微型化应用需求。

此外，目前，对具有双重功能的无线充电和近场通讯用磁性材料的研究，主要为复合磁性材料的研究，比如采用纳米晶材料和铁氧体材料组合的组合体，或采用非晶纳米晶片与软磁粉末与树脂材料合成的复合薄片的组合体。采用此种复合型方式，一方面增加了导磁屏蔽材料的厚度，对便携式电子终端的薄型化发展不利，另一方面其生产工艺的复杂性使其难以大批量连续生产且做到低成本。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的发明构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种电磁屏蔽片及其制备方法，能够批量连续化生产，且制得的电磁屏蔽片可同时应用于无线充电和NFC通信场景中，应用于无线充电时转化效率也较高。

本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决：

一种电磁屏蔽片的制备方法，包括以下步骤：S1，在500～600℃范围内、保护气氛下热处理纳米晶带材；S2，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于各层纳米晶带材层间以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的最上表面贴覆一双面胶或者覆盖膜，在所述多层纳米晶带材的最下表面贴覆一双面胶或者覆盖膜；S3，将步骤S2处理后的多层纳米晶带材通过纵向剪切刀进行纵向剪切处理，使得所述多层纳米晶带材剪切成宽度为0.2～1mm的纵向条状结构；S4，将步骤S3处理后的多层纳米晶带材通过横向剪切刀进行横向剪切处理，使所述纵向条状结构横向破碎形成长度为0.2～1mm、宽度为0.2～1mm的网格状碎块；S5，将步骤S4处理后的多层纳米晶带材的最上表面和最下表面的双面胶自带的离型膜层或者覆盖膜自带的粘性膜层去掉，重新覆上一层新的离型膜层或者粘性膜层。

一种根据如上所述的制备方法制得的电磁屏蔽片。

本发明与现有技术对比的有益效果是：