[发明专利]一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器在审
| 申请号： | 201810114114.7 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108258113A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王营;叶志;刘妮;刘旸 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 阻变层 底电极 顶电极 导电氧化物薄膜 可调控 激活电压 氧空位 变性 衬底 调控 | ||
1.一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，自上而下依次为衬底、底电极、阻变层、顶电极，其特征在于，所述阻变存储器还包括透明导电氧化物薄膜，设置于底电极与阻变层之间、顶电极与阻变层之间、或同时设置于底电极与阻变层之间和顶电极与阻变层之间，通过改变导电氧化物薄膜的厚度和氧空位的含量实现对阻变存储器的激活电压和阻值比的调控。
2.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜为ITO、AZO、IZO、GZO或IGZO薄膜。
3.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜的厚度为3nm～200nm。
4.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜的厚度为60nm～160nm。
5.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述底电极和顶电极均采用金、银、铂、铝、铜、钛中的一种或几种复合。
6.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述底电极和顶电极的厚度均为20nm～500nm。
7.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度为2nm～300nm。
8.如权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器采用磁控溅射法、化学气相沉积、热蒸发、原子层沉积、脉冲激光沉积、化学溶液或外延生长制备获得。
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