[发明专利]超厚DLC涂层

权利要求书

1.一种超厚DLC涂层,其特征在于，由周期性排布于基底材料表面的双层调制结构构成，所述调制结构包括软质层和设于所述软质层之上的硬质层，所述软质层与硬质层周期交替排布于所述基底材料表面。

2.如权利要求1所述的超厚DLC涂层，其特征在于，所述DLC涂层的厚度大于10μm。

3.如权利要求1所述的超厚DLC涂层，其特征在于，所述DLC涂层的厚度为10-50μm。

4.如权利要求1所述的超厚DLC涂层，其特征在于，所述调制结构的调制周期为纳米量级或微米量级调制周期。

5.如权利要求4所述的超厚DLC涂层，其特征在于，所述纳米量级调制周期为0.15-0.90μm，所述软质层的厚度为0.05-0.10μm，所述硬质层的厚度为0.10-0.80μm；或所述微米量级调制周期为1.50-2.80μm，所述软质层的厚度为0.50-0.80μm，所述硬质层的厚度为1.00-2.00μm。

6.如权利要求1至5中任一项所述的超厚DLC涂层，其特征在于，所述软质层为CrN、TiN、WC、ZrN、Cr、Ti、W、Zr中的一种；所述硬质层为类金刚石。

7.如权利要求1至6中任一项所述的超厚DLC涂层的制备方法，其特征在于，所述超厚DLC涂层采用真空PVD法制备，具体制备步骤包括：

S1、提供基底材料，进行清洗、干燥，得到干燥后的基底材料；

S2、将所述干燥后的基底材料置于PVD真空镀膜机的腔体内，密闭抽真空至5.0*10-3Pa时，加热到200-300℃，并继续抽真空；

S3、当压力达到1.0*10-3Pa以下时，开始制备所述调制结构，沉积所述软质层，并在所述软质层上沉积所述硬质层；

S4、重复步骤S3，以达到目标厚度。

8.如权利要求7所述的超厚DLC涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用磁控溅射或者阴极电弧工艺沉积所述软质层。

9.如权利要求7所述的超厚DLC涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的调制结构的制备过程包括：通入工艺气体至0.05Pa，开启靶源，在所述基底材料上施加300-1000V的偏压,将电流调整到10-15A，沉积时间设为5-10min，沉积厚度为0.05-0.10μm的所述软质层；通入烃类含碳气体，开启离子源电源，在所述基底材料上施加300-1000V的偏压,电流调节到1-5A，沉积时间设为10-30min，沉积厚度为0.10-0.80μm的所述硬质层。

10.如权利要求7所述的超厚DLC涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的调制结构的制备过程包括：通入工艺气体至0.05Pa，开启靶源，在所述基底材料上施加300-1000V的偏压,将电流调整到60-80A，沉积时间设为5-10min，沉积厚度为0.50-0.80μm的所述软质层；通入烃类含碳气体，开启离子电源，在所述基底材料上施加300-1000V的偏压,电流调节到1-5A，沉积时间设为30-60min，沉积厚度为1.00-2.00μm的所述硬质层。